Vos olimpiada ru 2018: ВсОШ | gymnaziya15_march22

Содержание

Сайт школы 1311 :: Информация

Началась регистрация на олимпиаду «Высшая проба» и «Конкурсы юных»

С 1 октября до 30 ноября продлится регистрация на Межрегиональную олимпиаду для школьников 7-11 классов «Высшая проба». Отборочный этап пройдет с 5 по 20 декабря, заключительный — с 11 по 18 февраля. В этом году в перечне предметов олимпиады появился один новый — восточные языки, а в линейке для школьников 7-8 классов — иностранный язык. Расширен перечень городов, где пройдет заключительный этап. Также в этом году Вышка предлагает школьникам еще несколько конкурсов, победа в которых может облегчить им поступление в университет.
Олимпиада «Высшая проба» — одна из самых больших в стране. В 2014/2015 учебном году в ней попробовали свои силы в общей сложности более 45 тысяч участников. Победителями и призерами стали 2050 школьников, из них 592 сейчас учатся в бакалавриате ВШЭ.

Всего студентами Вышки стали 2018 участников заключительного этапа олимпиады.
В этом году олимпиада будет проводиться по 17 предметам. Для учеников 7 класса это иностранный язык, история, литература, математика, русский язык. В линейке предметных олимпиад для 8-классников добавлены олимпиады по экономике и обществознанию, для учеников 9-11 классов — еще и востоковедение, восточные языки (в 2016 году — только китайский язык), дизайн, журналистика, право, психология, физика, электроника, информатика, история мировых цивилизаций.
Сориентироваться в особенностях олимпиады «Высшая проба» поможет карта олимпиады, а определиться с выбором олимпиад — ориентировочное соотношение олимпиад и образовательных программ.

Карта олимпиады — http://olymp.hse.ru/mmo/2016/map/
Ориентировочное соотнесение олимпиад и образовательных программ — http://olymp.hse.ru/mmo/2016/instr-begin/

Важные даты олимпиады — http://olymp. hse.ru/mmo/2016/timetable/

1 октября также открылась регистрация на Открытый творческий конкурс «Конкурс юных», в рамках которого пройдут состязания по направлениям «Юный философ», «Юный социолог», «Юный юрист» и др. На первом отборочном этапе участникам предлагается выполнить конкурсные задания. Авторов лучших работ пригласят в Москву на очный этап 29 ноября, победители которого также выйдут во второй этап олимпиады «Высшая проба». Возможность представить конкурсную работу открыта до 23 октября.
http://olymp.hse.ru/junior

Школьники, проявляющие интерес к исследовательской и проектной работе, в этом году смогут принять участие в новом конкурсе, организуемом Высшей школой экономики, — Конкурсе исследовательских и проектных работ. Конкурс проводится по разным направлениям: от гуманитарных до технических. К ноябрю будут опубликованы правила и сроки проведения. Школьники, руководствуясь правилами и требованиями, смогут начать работу над своими проектами и исследованиями.

Возможность разместить свои работы в личных кабинетах появится позже — в январе, когда начнется регистрация участников. Регистрация продлится ориентировочно до середины марта. Авторы лучших работ будут приглашены в Вышку на очный этап в конце апреля.
http://olymp.hse.ru/projects/

Победители и призеры конкурсов, выпускники школ, решившие поступать на образовательные программы Вышки, получат дополнительные баллы к сумме баллов ЕГЭ за индивидуальные достижения, которые могут оказаться очень ценными для поступления.

We Are the Champions!!!

8 декабря. Наши ученики стали призерами окружного тура олимпиады по английскому языку:

  • Готлиб Ума, 8А класс
  • Негребецкая Милена, 8Б класс
  • Нисанова Арина, 8А класс
  • Ульянская Мерав, 10 класс
  • Зыскина Эстер, 11 класс
и биологии:
  • Быкова Елена, 11 класс.

От всей души души поздравляем девушек и их учителей с победой!!!!

Школьный этап ВсОШ — Отдел образования администрации МОГО «Инта»

 


2020-2021 учебный год  


 

Школьный этап 

с 01.09.2020 до 01.11.2020 

(ознакомиться с материалами и рекомендациями)

 

 


В школьном этапе всероссийской олимпиады школьников может принять участие каждый ученик, желающий участвовать в олимпиаде, с 4 по 11 класс и обучающийся в одной из образовательных организаций МОГО «Инта». 

Квота на участие в школьном этапе олимпиады не устанавливается.

На школьном этапе олимпиады участник олимпиады вправе выполнять задания за более старший класс по отношению к тому, в котором обучается. 

Положение о школьном этапе всероссийской олимпиады школьников (утверждено приказом Отдела образования администрации МОГО «Инта» от 15. 09.2020 № 164) 

Требования к организации и проведению школьного этапа всероссийской олимпиады школьников по каждому учебному предмету в 2020-2021 учебном году (утверждены приказом Отдела образования администрации МОГО «Инта» от 15.09.2020 № 164)

Сроки проведения школьного этапа всероссийской олимпиады школьников по общеобразовательным предметам в 2020-2021 учебном году (утверждены приказом Отдела образования администрации МОГО «Инта» от 15.09.2020 № 164)

С инструкцией, правилами регистрации, памяткой о порядке проведения олимпиады для участников ВсОШ можно ознакомиться, пройдя по ссылке http://talant.kriro.ru/ (раздел «Учащимся»)

Форма заявления на участие во Всероссийской олимпиаде школьников 

Форма согласия на обработку персональных данных участников Всероссийской олимпиады школьников  

Форма заявления  председателю апелляционной комиссии школьного этапа всероссийской олимпиады школьников   



Итоговые протоколы жюри школьного этапа всероссийской олимпиады школьников, а также рейтинг победителей и призеров данного этапа размещены на официальных сайтах общеобразовательных организаций:  

МБОУ «Средняя общеобразовательная школа №  5» —

http://inta5school.

ucoz.ru/index/shkolnyj_ehtap_vsosh/0-817 

МБОУ «Средняя общеобразовательная школа № 6» —

http://school6inta.ucoz.net/index/rabota_s_odarennymi_detmi/0-109

МБОУ «Средняя общеобразовательная школа № 8» —

http://inta8.top/index/nashi_uspekhi/0-27

МБОУ «Средняя общеобразовательная школа № 9» — 

http://www.xn--9-7sbb5ahgrd5b0c.xn--p1ai/vserossiyskaya-olimpiada-shkolnikov/shkolnyy-etap/

МБОУ «Средняя общеобразовательная школа № 10» —

http://school10inta.ucoz.ru/index/olimpiada/0-291 

МБОУ «Лицей № 1 г. Инты»  — 

http://gimn-1-inta.ucoz.ru/index/vserossijskaja_olimpiada_shkolnikov/0-196

МБОУ «Гимназия № 2» — 

http://frschool.ucoz.ru/index/shkolnyj_ehtap/0-196

МАОУ Гимназия  № 3  — 

http://gimnasia3.ucoz.net/index/vserossijskaja_olimpiada_shkolnikov/0-124

МБВСОУ «Открытая (сменная) общеобразовательная школа — 

http://ososhinta.ucoz.net/index/vserossijskayz_olimpiada_shkolnikov/0-101

МБОУ «СОШ пст. Абезь» — 

http://abezschool.ucoz.com/index/vserossijskaja_olimpiada_shkolnikov/0-70

МБОУ «СОШ с. Косьювом» — 

https://shkola-kosjuvom.ucoz.ru/index/vserossijskie_olimpiady/0-99

МБОУ «СОШ с. Петрунь» 

http://petrunschkola.ucoz.ru/index/shkolnyj_ehtap_vserossijskoj_olimpiady_shkolnikov/0-49

  


Нормативные документы  


  Приказы Министерства просвещения Российской Федерации 


Приказ Министерства образования и науки Российской Федерации от 18.11.2013 № 1252 «Об утверждении Порядка проведения всероссийской олимпиады школьников»   

Приказ Министерства образования и науки Российской Федерации от 27.11.2020 № 678 «Об утверждении Порядка проведения всероссийской олимпиады школьников»

Приказ Министерства образования и науки Российской Федерации от 28.06.2013 № 491 «Об утверждении порядка аккредитации граждан в качестве общественных наблюдателей при проведении государственной итоговой аттестации по образовательным программам основного общего и среднего общего образования, всероссийской олимпиады школьников и олимпиад школьников»  


 Приказы Министерства образования, науки и молодежной политики Республики Коми 


Приказ Министерства образования, науки и молодежной политики Республики Коми от 17 августа 2020 года № 509 «О проведении школьного и муниципального этапов всероссийской олимпиады школьников в 2020-2021 учебном году»  


   Приказы Отдела образования администрации МОГО «Инта» 


Приказ Отдела образования администрации МОГО «Инта» от 15. 09.2020 № 164 «О проведении школьного этапа всероссийской олимпиады школьников в 2020-2021 учебном году».  

 


  Контактная информация 


 Контакты ответственных организаторов муниципального этапа ВсОШ на территории МОГО «Инта»:

 Сердюкова Елена Сергеевна 

председатель Организационного комитета, начальник Отдела образования администрации МОГО «Инта» —  тел. раб. – 8(82145) 6-20-08; E-mail: [email protected] 

Закревская Ирина Станиславовна

заместитель председателя Организационного комитета, заведующий методическим центром МКУ «ГУНО» — тел. раб. 8(82145)6-14-60; E-mail: [email protected]  


 Ресурсы для подготовки в ВсОШ 


  • С примерами заданий школьного и муниципального этапа ВсОШ можно ознакомиться, перейдя по ссылке https://yadi.sk/d/HKZOWuCVpPqV3A
  • С примерами заданий регионального и заключительного этапа ВсОШ, памяткой о порядке проведения олимпиады для участников ВсОШ и формой согласия на обработку персональных данных можно ознакомиться на сайте http://talant.
    kriro.ru/ (вкладка «Учащимся»)  
  • Полная информация о предметах, по которым проводятся школьный, муниципальный, региональный и заключительный этапы всероссийской олимпиады школьников, на официальном сайте ВсОШ — http://www.rosolymp.ru/. 
  • Предлагаем ознакомиться с заданиями пригласительного школьного этапа олимпиады 2020-2021 учебного года — https://vos.olimpiada.ru/2020/invite 
  • Вам будут полезны материалы олимпиады школьников, проводимой в г. Москве — https://vos.olimpiada.ru/. 
  • Много полезных материалов на сайте Ломоносовской олимпиады школьников — https://olymp.msu.ru/. 

 Информация о курсах подготовки к олимпиадам представлена  на сайтах 


  • Учебные материалы для подготовки к олимпиадам — http://sfmlcentr.msk.ru/.   
  • Курсы повышения квалификации, семинары, вебинары для  педагогов, наставников в образовательном центре  «Сириус» — https://sochisirius.ru/edu/pedagogam.   
  • Вы можете принять участие в бесплатном курсе по подготовке к предметным олимпиадам — https://kursitet. ru/project/vos/.

Лицей «Вторая школа» — Ближайшие события, олимпиады, лагеря. Выпуск 15 от 10.01.2019.

ОЛИМПИАДЫ И РЕГИСТРАЦИИ

Предварительные баллы, необходимые для получения статуса победителя и призёра II этапа ВсОШ в Москве.
http://vos.olimpiada.ru/2018/okrug/score

Списки приглашенных на региональный этап ВсОШ в Москве.
http://vos.olimpiada.ru/news/1912

Итоги муниципального этапа ВсОШ 2019 в Москве (неофициальная статистика).
http://www.mind-feed.ru/?p=943  

Материалы для подготовки к региональному этапу ВсОШ по математике и физике. 
http://trushinbv.ru/shkolnikam/podgotovka-k-olimpiadam/150-podgotovka-k-regionalnomu-etapu


МАТЕМАТИКА 

Опубликовано расписание отборочных олимпиад в список кандидатов в сборную Москвы.
* 7 — 8 класс. 12 января 17.00 — 20.00 (Хамовнический вал 6, каб. 43)
* 9 — 10 класс. 14 января 17.00 — 20.00 (Хамовнический вал 6, каб. 43)
http://math.mosolymp.ru/news/185  

Идёт заочный тур LXXXII Московской математической олимпиады для 11 классов.
Олимпиада для 8–11 классов пройдёт 17 марта 2019 г. 
(второй день для 11 кл. — 23 марта)
http://olympiads.mccme.ru/mmo/

Идёт регистрация на Зимний тур XXVIII Турнира Архимеда для 6-7 классов 20 января 2019 года. Начало в 10.00.
http://www.arhimedes.org/

Опубликована дата проведения XXX Математического праздника для 6-7 классов. 
Математический праздник планируется 17 февраля 2019 г.
http://olympiads.mccme.ru/matprazdnik/

ЭКОНОМИКА 

Опубликована информация для участников регионального этапа ВсОШ по экономике 19 января 2019 г.
https://olymp.hse.ru/vseros/region/2019/info

Опубликовано расписание очных сборов для подготовки к региональному этапу ВсОШ по экономике.
Сборы пройдут 12, 14-17 января на экономическом факультете МГУ (Ленинские горы 1с46). 
Начало занятий: 15. 40.
https://econ-olymp.ru/archives/368  

Опубликована информация об изменении состава участников профильных семинаров по экономике. 
По итогам муниципального этапа ВсОШ 2018-2019  состав сборной по экономике изменен.
На занятия в январе 2019 (очные сборы перед региональным этапом) приглашены школьники 10-11 классов, набравшие 50 баллов и более на муниципальном этапе, и учащиеся 9 класса, набравшие 51 балл и более (восьмиклассники, писавшие муниципальный этап за 9 класс, занимаются вместе с девятиклассниками).
https://econ-olymp.ru/archives/370

Опубликована информация о проведении  IX Открытого чемпионата школ по экономике 21 апреля 2019 г.
http://openchampionship.ru/2018/12/d0-be-d1-82-d0-ba-d1-80-d1-8b-d1-82-d1-8b-d0-b9-d1-87-d0-b5-d0-bc-d0-bf-d0-b8-d0-be-d0-bd-d0-b0-d1-82-2019/

ИНФОРМАТИКА 

Идёт регистрация участников регионального этапа ВсОШ  по информатике в г.Москве, 2018/19 учебный год.
https://olympiads.ru/moscow/2018-19/vsosh/region_registration.shtml  

Добавлены последние задачи длинного отборочного тура Открытой олимпиады по программированию.
Прием ответов продлится до 13 января. По его итогам часть школьников пригласят на финал, часть – на короткий отборочный тур. Соревнование пройдет с 18 по 21 января 2019 г.
https://olympiads.ru/zaoch/  

ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ АБИТУРИЕНТОВ

Олимпиады для абитуриентов в январе.
После Нового года в российских вузах продолжатся отборочные туры олимпиад для школьников и абитуриентов. https://www.ucheba.ru/article/6283  

Поступление в вуз: на что ориентироваться абитуриенту-2019.
Вместе с ректором ВШЭ Ярославом Кузьминовым разбираем итоги мониторинга российских институтов и университетов.
https://www.kp.ru/daily/26927.7/3976651/

Choose your fighter: МГУ или ВШЭ.
The Вышка попросила студентов поделиться опытом перехода из ВШЭ в МГУ и наоборот, вдохновить сомневающихся и дать советы решившимся.
http://thevyshka.ru/21229-hse-vs-msu/

День открытых дверей для всех факультетов МГУ 13 января 2019 г.
https://www.msu.ru/entrance/open-doors.html  

РАЗНОЕ

О математике
Математик Алексей Пономарёв – об успехе на олимпиадах, междисциплинарности и заданиях повышенной сложности.
Интервью с руководителем декабрьской математической образовательной программы, старшим методистом Центра педагогического мастерства Москвы, преподавателем СУНЦ МГУ и главным тренером сборной Москвы на Всероссийской олимпиаде школьников по математике Алексеем Пономаревым.
https://sochisirius.ru/news/2405

Видеозапись лекции директора Физтех-школы прикладной математики и информатики МФТИ Андрея Райгородского «Несколько задач современной комбинаторики» от 9 января 2019 г.
https://vk.com/feed?z=video-932_456239252%2F06dc2b3e6d88fc2f24%2Fpl_post_-96783705_4620

О физике 
Интервью с физиком Алексеем Акимовым.
Гость Радиорубки Постнауки— Алексей Акимов, кандидат физико-математических наук, руководитель группы «Квантовые симуляторы» Российского квантового центра, преподаватель МФТИ, сотрудник ФИАН, исследователь в  Harvard University. Эфир от 10 января 2019 г.
https://postnauka.ru/tv/94143

«Меня волнует проблема сложности». Михаил Кацнельсон о жизни и науке.
Михаил Кацнельсон – один из наиболее авторитетных в мире  физиков-теоретиков, специалист в области физики конденсированного состояния – рассказывает о своем репрессированном деде и антисемитизме в советской образовательной системе, современной российской власти и истоках российской «стабильности», ядерной войне и отношении к теологии, исследовании графена и поэзии. 
https://www.svoboda.org/a/29695504.html?fbclid=IwAR0z_ZjvwbbA-TWWEZaLmHugNBl1NTIhXcTnWG66-bRtb1jS-FsxS8jFlkY

Об информатике
13 олимпиад по информатике, которые дадут льготы при поступлении.
https://postupi.online/journal/novosti-olimpiad/olimpiadi-po-informatike-kotorie-dadut-lgoti-pri-postuplenii/   

Москва как площадка для чемпионата мира по программированию в 2020 году.
О перспективах победителей чемпионата по спортивному программированию ICPC, регламенте, девушках-программистах, а также о спонсорах и судьбах всемирно известных финалистов состязания радио Sputnik рассказали исполнительный директор ICPC Уильям Паучер и проректор МФТИ Алексей Малеев. Эфир Радио Sputnik от 20 дек. 2018 г.
https://www.youtube.com/watch?v=cYmQoDa23go&fbclid=IwAR3MNk5d451XNv_2_3JLruIDNHLlVsorMmt87XtruXFeNPT_tjXUlkTCZRE

С уважением, 
Илона Шевцова.

Персональный сайт — Олимпиады


 


Результаты школьного и муниципального этапов всероссийской олимпиады школьников Аткарского МР 

Приказ Министерства просвещения РФ от 27 ноября 2020 г. № 678 «Об утверждении Порядка проведения всероссийской олимпиады школьников»
Общественным наблюдателям



2021 — 2022 учебный год

Телефон «горячей линии» школьного, муниципального, регионального этапов ВсОШ в 2021/22 учебном году:
+7 (8452) 28-25-24 (доб. 136), E-mail: [email protected]

Документы Министерства просвещения Российской Федерации
Требования к организации и проведению регионального этапа Всероссийской олимпиады школьников в 2021/22 учебном году

Приказ «Об установлении сроков регионального этапа всероссийской олимпиады школьников в 2021/22 учебном году»

Положение об олимпиаде имени Дж. К. Максвелла 2021/22 учебного года

Методические рекомендации по организации и проведению школьного и муниципального этапов Всероссийской олимпиады в 2021-2022 уч. гг.

*Подготовка к ВсОШ*

ПРИКАЗЫ министерства образования Саратовской области
Приказ Министерства образования Саратовской области от 28.12.2021 г. № 2077 «Об установлении количества баллов по каждому общеобразовательному предмету и классу, необходимых для участия на региональном этапе всероссийской олимпиады школьников на территории Саратовской области в 2021/2022 учебном году»

Приказ Министерства образования Саратовской области «О проведении регионального этапа  всероссийской олимпиады школьников на территории Саратовской области в 2021/2022 учебном году»

Приказ Министерства образования Саратовской области от 31. 08.2021 года № 1498 «Об организации подготовки и проведения всероссийской олимпиады школьников на территории Саратовской области в 2021/2022 учебном году»

Приказ Министерства образования Саратовской области от 01.11.2021 года № 1817 «Об организационно-технологической модели проведения муниципального этапа всероссийской олимпиады школьников в Саратовской области в 2021/2022 учебном году»

Приказ Министерства образования Саратовской области от 22.10.2021 года №1771 «Об организационном сопровождении муниципального этапа всероссийской олимпиады школьников на территории Саратовской области в 2021/2022 учебном году»

Приказ Министерства образования Саратовской области от 31.08.2021 года № 1498 «Об организации подготовки и проведения всероссийской олимпиады школьников на территории Саратовской области в 2021/2022 учебном году»

ПРИКАЗЫ управления образования администрации Аткарского муниципального района
Приказ № 281 от 28.12.2021 г. «Об участии в региональном этапе всероссийской олимпиады школьников по общеобразовательным предметам в 2021/2022 учебном году»

Приказ № 278 от 22. 12.2021 г. «Об итогах муниципального этапа всероссийской олимпиады школьников в 2021/2022 учебном году». Приложение к приказу (Результаты муниципального этапа)

Приказ № 241 от 26.10.2021 г. «О проведении муниципального этапа всероссийской олимпиады школьников в 2021/2022 учебном году»  (PDF)

Приказ № 245 от 09.11.2021 г. «Об итогах проведения школьного этапа Всероссийской олимпиады школьников в 2021/2022 учебном году»

Приказ № 166 от 09.09.2021 г. «О проведении школьного этапа Всероссийской олимпиады школьников в 2021/2022 учебном году». Приложение к приказу.


2020 — 2021 учебный год

ПРИКАЗЫ министерства образования Саратовской области
Приказ министерcтва образования Саратовской области от 04.03.2021 № 302 «Об утверждении результатов регионального этапа всероссийской олимпиады  школьников по каждому общеобразовательному предмету на территории Саратовской области в 2020/2021 учебном году»

Приказ министерства образования области от 20. 01.2021 № 41 «О внесении изменений в приказ министерства образования Саратовской области от 29 декабря 2020 года № 1853»

Письмо Минпросвещения России от 25.12.2020 г. № ВБ-2322/03 «О проведении регионального этапа ВсОШ»

Приказ «Об установлении сроков регионального этапа всероссийской олимпиады школьников в 2020/21 учебном году»

Приказ МО СО от 29.12.2020 г. № 1853 «О проведении регионального этапа ВсОШ на территории Саратовской области в 2020/2021 учебном году»

Приказ Министерства образования Саратовской области от 31.08.2020 г №1244  «Об организации подготовки и проведения всероссийской олимпиады школьников на территории Саратовской области в 2020/2021 учебном году»

Методические рекомендации по проведению школьного и муниципального этапов всероссийской олимпиады школьников в 2020 — 2021 уч. году


ПРИКАЗЫ управления образования администрации Аткарского муниципального района
Приказ № 263 от 24.12.2020 г. «Об итогах муниципального этапа всероссийской олимпиады школьников в 2020/2021 учебном году» ( Результаты муниципального этапа) Приказ

Приказ № 209 от 05. 11.2020 г. «О проведении муниципального этапа всероссийской олимпиады школьников в 2020/2021 учебном году» (Файл в PDF)

Приказ № 206 от 30.10.2020 г. «Об итогах проведения школьного этапа Всероссийской олимпиады школьников в 2020/2021 учебном году» ( Результаты школьного этапа)

Приказ № 160 от 10.09.2020 г. «О проведении школьного этапа Всероссийской олимпиады школьников в 2020/2021 учебном году» (Файл в PDF)
 



2019 — 2020 учебный год

Методические рекомендации по проведению школьного и муниципального этапов всероссийской олимпиады школьников в 2019 — 2020 уч. году

ПРИКАЗЫ министерства образования Саратовской области

Приказ № 920 от 24.04.2019 г. «Об утверждении результатов регионального этапа всероссийской олимпиады школьников по каждому предмету на территории Саратовской области в 2018/2019 учебном году»
Приказ МО Саратовской области  «Об утверждении результатов регионального этапа всероссийской олимпиады школьников по каждому общеобразовательному предмету на территории Саратовской области в 2019/2020 учебном году»

ПРИКАЗЫ управления образования администрации Аткарского муниципального района

Приказ № 419 от 27. 12.2019 г. «Об итогах муниципального этапа всероссийской олимпиады школьников  в 2019/2020 учебном году»

Приказ № 368 от 06.11.2019 г. «О проведении муниципального этапа всероссийской олимпиады школьников в 2019/2020 учебном году»

Приказ № 288 от 10.09.2019 г. «О проведении школьного этапа Всероссийской олимпиады школьников в 2019/2020 учебном году»

Приказ № 222 от 18.06.2019 г. «О подготовке к проведению школьного этапа Всероссийской олимпиады школьников в 2019/2020 учебном году»

Приказ № 1 от 09.01.2019 г. «Об участии в региональном этапе всероссийской олимпиады школьников по общеобразовательным предметам в 2018/2019 учебном году»


2018 — 2019 учебный год

ПРИКАЗЫ министерства образования и науки Российской Федерации

Приказ № 202 от 12.11.2018 г.  «Об установлении сроков проведения регионального этапа всероссийской олимпиады школьников по общеобразовательным предметам в 2018/2019 учебном году»

ПРИКАЗЫ министерства образования Саратовской области
 

Приказ № 1888 от 27. 08.2019 г. «Об организации подготовки и проведения всероссийской олимпиады школьников на территории Саратовской области в 2019-2020 учебном году»

Приказ № 2578 от 27.12.2018 г. » Об установлении количества баллов по каждому общеобразовательному предмету и классу, необходимых для участия на региональном этапе всероссийской олимпиады школьников на территории Саратовской области в 2018/2019 учебном году»

Приказ № 2553 от 20.12.2018 г. » О проведении регионального этапа всероссийской олимпиады школьников на территории Саратовской области в 2018/2019 учебном году»

Приказ № 2335 от 16.11.2018 г. » О внесении изменений в приказ министерства образования Саратовской области от 19.10.2018 года № 2166″

Приказ № 2166 от 19.10.2018 г. » Об организационном сопровождении муниципального этапа всероссийской олимпиады школьников на территории Саратовской области в 2018-2019 учебном году»

Приказ № 1794 от 30.08.2018 г. «Об организации подготовки и проведения всероссийской олимпиады школьников на территории Саратовской области в 2018-2019 учебном году»

Приказ Министерства образования и науки РФ от 18 ноября 2013 г. N 1252 «Об утверждении Порядка проведения всероссийской олимпиады школьников»

Итоги Всероссийской олимпиады школьников 2018-2019 учебного года можно посмотреть по ссылке: http://uoatkarsk.ucoz.ru/index/itogi_olimpiady/0-40 
Методические рекомендации по проведению школьного и муниципального этапов всероссийской олимпиады школьников в 2018 — 2019 уч. году

ПРИКАЗЫ управления образования администрации Аткарского муниципального района

Приказ № 474 от 24.12.2018 г. «Об итогах муниципального этапа всероссийской олимпиады школьников  в 2018/2019 учебном году»

Приказ № 455 от 03.12.2018 г. «О внесении дополнений к приказу управления образования администрации Аткарского МР от 06.11.2018 года № 411 «О проведении муниципального этапа всероссийской олимпиады школьников в 2018/2019 учебном году»

Приказ № 411 от 06.11.2018 г. «О проведении муниципального этапа всероссийской олимпиады школьников в 2018/2019 учебном году»

Приказ № 409-а от 30. 10.2018 г. «Об итогах проведения школьного этапа Всероссийской олимпиады школьников в 2018/2019 учебном году» ( Результаты школьного этапа)

Приказ № 341 от 17.09.2018 г. «О проведении школьного этапа Всероссийской олимпиады школьников в 2018/2019 учебном году»

Приказ № 1 от 09.01.2018 г. «Об участии в региональном этапе всероссийской олимпиады школьников по общеобразовательным предметам в 2017/2018 учебном году»


2017 — 2018 учебный год

ПРИКАЗЫ министерства образования и науки Российской Федерации

Приказ № 1091 от 08.11.2017 г.  «Об установлении сроков проведения регионального этапа всероссийской олимпиады школьников по общеобразовательным предметам в 2017/2018 учебном году»

Приказ № 1002 от 05.10.2017 г.  «Об утверждении перечня олимпиад и иных интеллектуальных  и (или) творческих конкурсов, мероприятий, направленных на развитие интеллектуальных и творческих способностей, способностей к занятиям физической культурой и спортом, интереса к научной  (научно-исследовательской), инженерно-технической, изобретательской, творческой, физкультурно-спортивной деятельности, а также на пропаганду научных знаний, творческих и спортивных достижений,  на 2017 — 2018 учебный год»

Приказ № 866 от 30. 08.2017 г. «Об утверждении перечня олимпиад школьников и их уровней на 2017 — 2018 учебный год»

Приказ № 1252 от 18.11.2013 г. «Об утверждении порядка проведения всероссийской олимпиады школьников»


ПРИКАЗЫ министерства образования Саратовской области
Приказ № 2706 от 26.12.2017 г. » О проведении регионального этапа всероссийской олимпиады школьников на территории Саратовской области в 2017-2018 учебном году»

Приказ № 2305 от 27.10.2017 г. » Об организационном сопровождении муниципального этапа всероссийской олимпиады школьников на территории Саратовской области в 2017-2018 учебном году»

Приказ № 2062 от 29.09.2017 г. «Об организации подготовки и проведения всероссийской олимпиады школьников на территории Саратовской области в 2017-2018 учебном году»

ПРИКАЗЫ управления образования администрации Аткарского муниципального района
Приказ № 509 от 22.12.2017 г. «Об итогах муниципального этапа ВсОШ  в 2017-2018 учебном году»

Приказ № 419 от 02. 11.2017 г. «О проведении муниципального этапа всероссийской олимпиады школьников в 2017/2018 учебном году»

Приказ № 418 от 02.11.2017 г. «Об итогах проведения школьного этапа всероссийской олимпиады школьников в 2017-2018 учебном году»

Приказ № 337 от 19.09.2017 г. «Об утверждении состава, места работы апелляционной комиссии и сроков подачи апелляций школьного этапа ВсОШ в 2017-2018 учебном году «

Приказ № 328 от 15.09.2017 г. «О проведении школьного этапа Всероссийской олимпиады школьников в 2017/2018 учебном году»

Приказ от 10.01.2017 г. № 5 «Об участии в региональном этапе всероссийской олимпиады школьников по общеобразовательным предметам в 2016 – 2017 учебном году»

Всероссийская олимпиада школьников ⋆

Всероссийская олимпиада школьников ежегодно проводится по 24 предметам, в ней участвуют более 6 миллионов человек.

В соревновании четыре этапа: школьный, муниципальный, региональный и заключительный. В школьном этапе может участвовать любой желающий, начиная с пятого класса (хотя соревнования по русскому языку и математике начинаются уже в четвертом).

Чтобы попасть на каждый следующий уровень, нужно преодолеть порог баллов, который устанавливается организаторами олимпиады.

Муниципальный этап предусмотрен для учащихся 7-11 классов, а в региональном и заключительном могут участвовать школьники 9-11 классов.

Хорошие результаты на заключительном этапе Всероссийской олимпиады школьников дают льготы при поступлении: от дополнительных баллов за ЕГЭ или портфолио до зачисления без экзаменов в профильные вузы.

Инструкция для учащихся Москвы.

Этапы Олимпиады:

Школьный этап

Участники:

  • 5-11 классы: все предметы
  • 4 класс: математика и русский язык

Место проведения: очный этап, открытое участие, проводится в школах

Сроки проведения: сентябрь – октябрь 2018

Муниципальный этап

Участники: 7-11 классы: набравшие проходные баллы в школьном этапе 2018/19, победители и призеры муниципального этапа 2017/18

Место проведения: очный, проходные баллы и места проведения публикуются на сайте vos. olimpiada.ru

Сроки проведения: октябрь – декабрь 2018

Необходимо взять с собой:

  • листок участника (в школе)
  • черную ручку
  • сменную обувь или бахилы

Региональный этап

Участники: 9-11 классы: набравшие проходные баллы в муниципальном этапе 2018/19, победители и призеры регионального этапа 2017/18

Место проведения: очный, проходные баллы и места проведения публикуются на сайте vos.olimpiada.ru

Сроки проведения: январь – февраль 2019

Необходимо взять с собой:

  • приглашение (в школе)
  • паспорт
  • черную ручку
  • сменную обувь или бахилы

Заключительный этап

Участники: 9-11 классы: набравшие проходные баллы в региональном этапе 2018/19, победители и призеры заключительного этапа 2017/18

Место проведения: очный, проходные баллы и места проведения публикуются в первой половине марта на сайте edu. gov.ru, проводится на выезде (5-7 дней)

Сроки проведения: март – апрель 2019

Контактный адрес городского оргкомитета [email protected]

Ответственный секретарь городского оргкомитета: Михаил Вячеславович Будревич, [email protected]

Официальный сайт организатора.

МЦКО

Муниципальный этап Всероссийской олимпиады школьников стартовал 20 октября в столице, сообщает пресс-служба Департамента образования.

На второй, муниципальный, этап приглашаются учащиеся 7-11 классов московских школ, успешно прошедшие первый, школьный этап, а также победители и призеры муниципального этапа прошлого года. Олимпиады по 24 предметам проходят с октября по декабрь. Соревнования по различным дисциплинам, как правило, проводятся в разные дни для того, чтобы школьники могли поучаствовать в нескольких состязаниях. Самые массовые олимпиады пройдут в выходные дни.

В этом году муниципальный этап по биологии и физике для учащихся 9 классов пройдет в режиме онлайн.

Впервые в этом году выполнить задания муниципального этапа смогут директора и управленческие команды столичных школ.

«Олимпиады сегодня – не только средство выявления одаренных детей. Это способ каждому найти ту область знания, где он талантлив. Поэтому важно, чтобы те, кто работает в школе, сами увидели, что такое олимпиада. Так, по инициативе одного из директоров московских школ, возникла идея дать возможность управленческим командам, поучаствовать в дубле муниципального этапа Всероссийской олимпиады. Его организатором стал Центр педагогического мастерства совместно с Московским центром развития кадрового потенциала в образовании. Дубль олимпиады проходит в тот же день, когда ее пишут дети, с небольшим опозданием, чтобы не допустить утечку информации. Директора выполняют задания по тем же правилам, что и дети», – рассказал директор Центра педагогического мастерства Иван Ященко.

Уже прошли первые состязания по французскому языку, ОБЖ и обществознанию. До конца октября состоятся соревнования по экологии, биологии и литературе. Завершится муниципальный этап 16 декабря олимпиадой по информатике. Участниками олимпиады по трем первым предметам стали более 30 тысяч учащихся столичных школ.

Уже несколько лет создаются особые условия участия во Всероссийской олимпиаде для слепых, слабовидящих школьников и ребят, находящихся на длительном лечении. В этом году муниципальный этап олимпиады пройдет в детской городской клинической больнице и в центре имени Дмитрия Рогачева, задания будут переведены на шрифт Брайля, а для слабовидящих школьников подготовлены увеличенные варианты.

Всероссийская олимпиада школьников проводится ежегодно среди учащихся 4-11 классов. Состязания проходят в четыре этапа: школьный, муниципальный, региональный и заключительный. В Москве организатором Всероссийской олимпиады школьников является столичный Департамент образования. Координирует проведение первых трех этапов Центр педагогического мастерства. В Центре педагогического мастерства специально к муниципальному этапу организованы онлайн-курсы подготовки по всем предметам. Познакомиться с заданиями прошлых лет и потренироваться перед соревнованием можно на сайте vos.olimpiada.ru. Напоминаем, что на заключительном этапе всероссийской олимпиады прошлого учебного года московские школьники завоевали рекордное количество дипломов – 906, а мэр Москвы Сергей Собянин принял решение о повышении размера премии победителям и призерам на 50 процентов.

«Солнце — единственный главный источник энергии и жизни на Земле»: интервью по случаю Международного дня Солнца

Международный день Солнца отмечается ежегодно в начале мая. Решение об учреждении этого праздника было принято в 1994 году Европейским отделением Международного общества солнечной энергии (ISES) с целью привлечения внимания общества к возможностям использования возобновляемых источников энергии. Студенты энергетического факультета Южно-Уральского государственного университета политехнического института изучают всю технологическую цепочку энергетического машиностроения: генерацию, передачу, распределение, регулирование и потребление электрической и тепловой энергии. Особое внимание на факультете уделяется развитию новейших электротехнологий, к которым относятся водородная энергетика, лазерные технологии, электросварочное производство, электрометаллургия, электролитическое производство. В этом году на кафедре «Теоретические основы электротехники» по данной специальности должны быть выпущены первые бакалавры. На факультете утверждена и реализуется стратегия развития «Распределенная цифровая энергетика и интеллектуальный электропривод».Эта стратегия охватывает все виды альтернативной энергетики, включая солнечную энергию. Декан факультета, Ганджа Сергей , рассказал нам о потенциале солнечной энергетики и ее дальнейшего развития.

— Солнце — ближайшая к нам звезда, что оно дает нашей планете?

– Энергия Солнца стоит за всеми известными формами движения материи: механическими, физическими, химическими, биологическими и социальными. Солнце – единственный ближайший к нам источник, наполняющий энергией все формы живой и неживой природы. Например, это Солнце влияет на энергию ветра, волн, гидроэнергетику рек, энергию углеводородов, в том числе биогаза. на начальном этапе его формирования.Энергия ветра обусловлена ​​неравномерным нагревом земной поверхности; энергия углеводородов возникает под влиянием фотосинтеза; гидроэнергетика рек образуется в результате испарения воды и последующего выпадения осадков. Лишь несколько видов альтернативных источников не имеют солнечного происхождения. Это приливная энергия, обусловленная гравитационным притяжением Луны, ядерная энергия, накопленная Вселенной много миллиардов лет назад, и геотермальная энергия Земли, образовавшаяся при формировании планеты.Эти виды энергии составляют небольшую часть в энергетическом балансе планеты. Можно сказать, что Солнце является единственным основным источником энергии и жизни на Земле.

– Как производится и используется солнечная энергия?

— Источником энергии на самом Солнце является термоядерный синтез, в ходе которого агрегирующиеся атомы водорода производят гелий, второй элемент таблицы Менделеева. При этом вырабатывается гигантское количество энергии; эта энергия распространяется в виде излучения и достигает Земли.Здесь она трансформируется в другие виды энергии. Например, мы можем превратить солнечную энергию в электрическую, используя эффект фотосинтеза. В масштабах существования человеческой цивилизации Солнце является неиссякаемым источником энергии. Альтернативная энергетика использует преобразованную солнечную энергию. Основное их преимущество в том, что они являются в первую очередь экологически чистыми источниками энергии. Исторически традиционная энергетика вызывала выбросы вредных веществ и повышенное содержание углекислого газа в атмосфере, что, в свою очередь, приводит к парниковому эффекту и глобальному потеплению.Солнечное излучение превращается непосредственно в электричество; ветряные электростанции также не вызывают выбросов. Тем не менее, у альтернативных источников есть один существенный недостаток. Это нестабильная генерация энергии, зависящая от природных условий. Промышленность и крупные мегаполисы не могут полностью полагаться на такие нестабильные источники. Мощный толчок к развитию получит альтернативная энергетика, если сумеет решить проблему аккумулирования энергии; при этом объем накопления должен быть гигантским, соизмеримым с существующими запасами углеводородного топлива.McKinsey Global Institute назвал создание такой технологии накопления электроэнергии одной из 12 прорывных технологий, которые существенно изменят глобальную экономику. Такую работу студенты энергетического факультета проводят на базе водородной энергетики.

– Изучают ли студенты энергетического факультета возобновляемые источники энергии, в том числе солнечную энергию?

– Структура энергетического факультета построена таким образом, что все, что есть в энергетике, преподается на той или иной образовательной ступени: в бакалавриате, магистратуре или аспирантуре.У нас развито изучение традиционной энергетики: электростанций, сетей, систем электроснабжения. Есть магистерская программа, в рамках которой мы осуществляем подготовку специалистов в области альтернативной энергетики. Более того, у нас есть серьезные научные перспективы в этой области, в том числе проекты, осуществляемые совместно с американскими учеными. В основном мы работаем с ветровой энергетикой, а также с солнечной, биогазовой и водородной энергетикой.

– Какое будущее у солнечной энергетики?

– Энергетика идет по пути комплексного развития.Мы не можем ориентироваться по одному типу энергии. Энергетика может быть стабильной и надежной при использовании различных источников энергии. Иметь такую ​​развитую и товарную углеводородную инфраструктуру и разрушать ее или использовать неэффективно абсолютно неразумно. По мере истощения запасов углеводородов она будет постепенно терять свое значение, но, по оценке министра энергетики РФ Александра Новака, произойдет это не раньше, чем через 100 лет.При этом традиционные источники энергии будут заменены альтернативными источниками энергии и атомной энергетикой. Солнечную энергетику ждет светлое будущее, но для этого нам еще предстоит решить массу научных и инженерных задач. Энергетический факультет активно работает в этом направлении.

3839 Олимпиада Доктор, Вью Парк, Калифорния

| MLS# 21-760036

Элементы интерьера

  • Гардеробная, Спальня на первом этаже, Главная спальня на первом этаже, Главная спальня, Главная зона отдыха, Главная спальня, Многоуровневая спальня, Гардеробная

  • Количество ванн ( Полный): 6
  • 2 главные ванные комнаты, двойная раковина(-а), душ(-а) с низким расходом воды, туалет(-ы) с низким расходом воздуха, туалетная комната, реконструированный душ и ванна

  • Встроенная газовая плита — Газ, газовая духовка, вытяжка, духовка с самоочисткой
  • Кухня для гурманов, остров, реконструированная, каменные стойки

  • Зона для завтрака, стойка для завтрака / барная стойка, обеденная зона, семейная кухня, на кухне, кухонный остров
  • Семейный номер
  • Приют
  • Бильярдная, Зона для завтрака, Барная стойка, Прихожая, Кабинет/офис, Столовая, Гардеробная, Семейная комната, Большая комната, Гостиная, Чердак, Главная спальня, Открытое патио, Уединение, Сауна , Кабинет, Два хозяина, Подсобное помещение, Walk-In C loset, Гардеробная

  • 2 Лестницы, Бар, Встроенные элементы, Соборные сводчатые потолки, Высокие потолки (9 футов+), Прачечная — Гардеробная, Открытая планировка, Встроенное освещение, Место для хранения, Под ключ, Две Натяжные потолки
  • Гостиная
  • Окна: двухкамерные стеклопакеты, жалюзи

  • Сигнализация, встроенные модули, кабель, посудомоечная машина, сушилка, мусоропровод, плита/духовка, холодильник, штабелируемый W/D монтаж, Шайба
  • 220V в гараже

    • A / C
    • Central Heat
    • Особенности воды
    • Особенности водонагревателя: Tankless

    Парковка / гараж

    • прилагается, 2 автомобиля Гараж
    • # из гаражных мест: 2

    Внешние элементы

    • Всего этажей: 3
    • Отдельный
    • Отдельный/без общих стен
    • Элементы безопасности: Собственный 3 7 Фундамент
    • Наружная конструкция: Штукатурка

    • Особенности патио: Балкон, палуба(ы), палуба на крыше
    • Другие конструктивные особенности: балкон, выполненный по индивидуальному заказу, вход с двойной дверью, французские двери, высокие потолки (9 футов+), раздвижные стеклянные двери

    Школа / микрорайон

    Коммунальные услуги, налоги / сборы, сведения о местонахождении, документы и раскрытие информации

    • Как проехать: шоссе Марина (90) или шоссе Санта-Моника (405) до выхода Slauson; на восток до Анхелес Виста, на север до Пресидио Др. , слева от Presidio Drive до Olympiad Drive до 3839.

    Информация об имуществе / лоте

    • Размер участка (кв. футов): 7 226
    • Размер участка (акров): 0,1662

      900 x 115

    • Зонирование: LCR1*
    • Особое зонирование: Отчет об объекте

    • Имеет вид
    • Вид: Город, Огни города, Холмы, Горы, Панорамный вид, Верхушки деревьев, Деревья/леса

      7

      0 Информация

      Информация об имуществе предоставлена ​​TheMLS при последнем включении в список в 2021 году.Эти данные могут не совпадать с общедоступными записями. Узнать больше.

      Биогибридные солнечные элементы: основы, достижения и проблемы

      https://doi.org/10.1016/j.jphotochemrev.2018.04.001Get rights and content

      Highlights

      Обзор современного состояния нетрадиционного солнечные батареи на основе фотосинтетических комплексов.

      Фотобиоэлектрохимический элемент можно назвать сенсибилизированным красителем солнечным элементом (DSSC), где красителями служат фотосинтетические комплексы.

      Только для фотобиоэлектрохимических элементов на основе TiO 2 достигается выход фототока в миллиамперном диапазоне.

      Abstract

      За последние два десятилетия было опубликовано много сообщений о различных типах биогибридных электродов, использующих компоненты фотосинтетического аппарата. В настоящее время разработка таких устройств не выходит за рамки лабораторных исследований. В будущем эти электроды могут быть использованы в биосенсорах, солнечных элементах и ​​в качестве нового метода исследования фотосинтетических пигмент-белковых комплексов.Эффективность преобразования света в ток особенно важна для приложений с солнечными элементами. Выбор подходящего субстрата для специальных комплексов пигмент-белок является серьезной проблемой для создания недорогого и эффективного устройства. Различные комбинации пигментно-белковых комплексов и субстратов, а также разные условия измерения затрудняют прямое сравнение характеристик различных солнечных элементов. Однако было показано, что один из возможных материалов подложки, а именно наноструктурированный TiO 2 , является наиболее предпочтительным материалом для иммобилизации пигмент-белковых комплексов с точки зрения как стоимости, так и эффективности.Значения фототока, достигающие нескольких мА, были зарегистрированы для биогибридных электродов на основе TiO 2 . Однако эффективность биогибрида на основе TiO 2 все еще далека от своего потенциального максимального значения из-за фундаментальных проблем, связанных с созданием оптимального интерфейса между наноструктурой TiO 2 и пигмент-белковыми комплексами, содержащими кофакторы переноса электронов. На сегодняшний день контрпродуктивные обратные реакции, также называемые рекомбинацией зарядов, все еще преобладают и снижают внутреннюю квантовую эффективность этих систем.

      Аббревиатура

      ACVD

      Aerosol Chemistry Chemistry Paurofosition

      ATP

      аденозин Triphosphate

      DCBQ

      2,5-дихлор-1,4-бензохинон

      DDM

      N -DODECYL-BD-MALTOSIDE

      DET

      Прямой электрон передача

      DMCU

      3-(3,4-дихлорфенил)-1,1-диметилмочевина

      DSSC

      Сенсибилизированные красителем солнечные элементы

      ETC

      электрон-транспортная цепь

      FTO

      легированный фтором оксид олова

      LHCI

      светособирающий комплекс I

      LHCII

      светособирающий комплекс II

      MET

      Опосредованная передача электронов

      MWCNT

      Многостенные углеродные нанотрубки

      NAD

      NICOTINAMIDE Adenine Динуклеотид

      NADP

      NICOTINAMIDE ADENINE DINOUCLEOTIDE PHOSPHATE

      OEC

      Кислородно-биоэлектрохимический комплекс

      PBEC

      Фото- Биоэлектрохимические клетки

      SAM

      Самостоятельный монослой

      TCO

      прозрачный проводящий оксид

      Ключевые слова

      Фотобиоэлектрохимический солнечный элемент

      Biohybri электрод d

      Диоксид титана

      Фотосистема I

      Фотосистема II

      Тилакоид

      Рекомендованные статьиСсылки на статьи (0)

      Эльшан Мусазаде окончил Бакинский государственный университет в 2016 году. Теперь он магистр наук. студент лаборатории бионанотехнологий Института молекулярной биологии и биотехнологий Национальной академии наук Азербайджана (НАНА). Под руководством профессора Сулеймана Аллахвердиева он работает над солнечной батареей на основе фотосинтетического аппарата.

      Волошин Роман в 2014 году окончил физический факультет МГУ по специальности «Биофизическая химия» под руководством проф. Тихонова Александра Николаевича. по специальности биофизика под руководством проф.Сулейман Аллахвердиев занимается проектированием, исследованием и характеристикой солнечных элементов на основе компонентов фотосинтетического аппарата.

      Натан Брэди получил степень бакалавра в Колледже экологических наук и лесного хозяйства Государственного университета Нью-Йорка в области экологической и аналитической химии. Сейчас он аспирант кафедры биохимии и клеточной и молекулярной биологии Университета Теннесси в Ноксвилле. В лаборатории Др.Б. Д. Брюса, он исследует влияние нативной среды тилакоидной мембраны на биофизическую активность белка PSI для применения в биогибридных солнечных устройствах.

      Jyotirmoy Mondal имеет диплом с отличием в области микробиологии Inst. Генная инженерия, Калькутта, Индия, под руководством доктора Бондхопадхья и степень магистра молекулярной биологии Центрального университета Хайдарабада, Хайдарабад, от проф. С. Тетали и С. Раджагопал. В настоящее время он является кандидатом биологических наук в области клеточной и молекулярной биологии.в унив. Теннесси, Ноксвилл, под руководством профессора Б. Д. Брюса. Его диссертация посвящена пониманию и усилению поверхностного взаимодействия фотосистемы I (PSI) и ферредоксина (Fd) для включения комплексов PSI:Fd в биогибридные солнечные элементы.

      Самая Аташова 2016 г. Получила степень магистра по специальности «Молекулярная биология», защитив магистерскую диссертацию «Молекулярные докинговые исследования ингибирования бактериальной бета-глюкуронидазы синтетическими и природными соединениями».Сейчас она аспирант Института молекулярной биологии и биотехнологии под руководством профессора Сулеймана Аллахвердиева. Ее научные интересы связаны с солнечными батареями типа Photosystem I, созданными нанобиотехнологическим путем.

      Жармухамедов Сергей Константинович — старший научный сотрудник Института фундаментальных биологических проблем РАН, Пущино, Россия. Защитил кандидатскую диссертацию по биологическим наукам на тему «Выявление и исследование механизма действия новых химических ингибиторов переноса электронов в фотосистеме II растений» (1993 г., Пущино).Окончил Казахстанский государственный университет, факультет биохимии и биофизики (1983 г.). Область интересов: биофизика и биохимия фотосинтеза (механизм ингибирующего действия гербицидов и стрессовых факторов).

      Профессор Ирада Гусейнова в настоящее время является директором Института молекулярной биологии и биотехнологий Национальной академии наук Азербайджана (НАНА), а также руководителем отдела фундаментальных проблем биологической продуктивности. Получила степень кандидата молекулярной биологии в 1994 г. и доктора биологических наук в области биохимии в 2004 г. под руководством проф.Джалал Алиев в Институте ботаники НАНА. Она также является профессором кафедры биофизики и молекулярной биологии Бакинского государственного университета. Научные интересы связаны с изучением молекулярно-генетических механизмов синтеза, сборки и образования пигментно-белковых комплексов фотосинтетической мембраны высших растений, а также молекулярных основ защитно-приспособительных процессов растений к абиотическим (засуха, засоление, радиация). ) и биотические (вирусы, фитоплазмы, ржавчина) стрессовые факторы.

      Профессор Сирам Рамакришна , FREng, FBSE — профессор материаловедения в Национальном университете Сингапура. Он был пионером в области нанотехнологий в Сингапуре. Он высоко цитируемый исследователь (Clarivate Analytics). Он является соавтором ∼1000 журнальных статей и пяти книг с ∼75 000 цитирований и ∼130 H-индексом. Он является членом Королевской инженерной академии Великобритании (FREng). Он получил докторскую степень в Кембриджском университете в 1992 году. Агентство Thomson Reuters признало его одним из самых влиятельных ученых мира.Он является членом редколлегии журнала NATURE Scientific Reports.

      Профессор Мохаммад Махди Наджафпур получил докторскую степень в области неорганической химии в Технологическом университете им. Шарифа, Тегеран, Иран, в 2009 г. Махди получил несколько наград и стипендий, в частности золотую медаль Национальной олимпиады по химии в 2004 г. Кроме того, он занял 1-е место на Молодежном фестивале Хорезми в 2010 году и был выбран в молодежное объединение TWAS (2014). Махди также получил премию Аль-Бируни от Академии наук Ирана (2015 г.) и был выбран Министерством науки Ирана в числе лучших исследователей Ирана (2015 г.).Он также получил награду Организации экономического сотрудничества (ОЭС) в категории науки и техники (2017 г.). В настоящее время он является преподавателем химии в Институте перспективных исследований фундаментальных наук (IASBS) (Зенджан, Иран). Как химик-нанобиоинорганик, Махди считает, что, изучая стратегии природных систем, можно разработать современные катализаторы для всех реакций с использованием только распространенных на Земле, недорогих и экологически чистых ионов металлов. Махди и его исследовательская группа исследуют соединения переходных металлов в качестве катализаторов окисления воды для искусственного фотосинтеза.Он является автором более 200 публикаций по этим и другим направлениям.

      Профессор Цзянь-Рен Шен получил степень бакалавра биологии в Чжэцзянском сельскохозяйственном университете (ныне Чжэцзянский университет) в Китае в 1982 году и получил степень доктора философии. получил степень бакалавра биохимии в Токийском университете в 1990 году. Он провел 13 лет в RIKEN (Институт физико-химических исследований) в Японии с группой Йоринао Иноуэ, изучая структуру и функцию фотосистемы II (PSII), и перешел в Университет Окаяма. в 2003 г. получил звание профессора, где в настоящее время является заместителем декана Научно-исследовательского института междисциплинарных наук. В 2011 году доктор Шен вместе со своими коллегами раскрыл структуру атомного разрешения ФС II, предоставив первую атомную структуру катализатора окисления воды, кластер Mn4CaO5. В 2015 году доктор Шен и его группа определили неповрежденную структуру ФС II с помощью фемтосекундных рентгеновских лазеров на свободных электронах (XFEL), а затем в 2017 году решили структуру промежуточного состояния S3, что дало важную информацию для понимания механизма фотосинтетического окисления воды.

      проф.Барри Брюс получил докторскую степень в Univ. Кал. Беркли в молекулярной биологии растений. У него есть степень магистра биохимии под руководством Роберта Бланкеншипа из Univ. Массачусетс. Он профессор кафедры BCMB, микробиологии, химической и биомолекулярной инженерии в Университете Теннесси в Ноксвилле. Он является научным сотрудником AAAS и лидером в области биологии хлоропластов, фотосинтеза и пионером в разработке прикладного фотосинтеза. Он был признан Forbes одним из «Десяти революционеров, которые могут изменить мир».

      Проф. Сулейман И. Аллахвердиев — заведующий лабораторией управляемого фотобиосинтеза Института физиологии растений Российской академии наук (РАН), Москва; главный научный сотрудник Института фундаментальных биологических проблем РАН, Пущино Московской области; Профессор Института им. М.В. Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва; профессор Московского физико-технического института (государственного университета), Москва, Россия; Заведующий лабораторией бионанотехнологий в Институте молекулярной биологии и биотехнологии Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан, и приглашенный адъюнкт-профессор кафедры новой биологии Института науки и технологий Тэгу Кёнбук (DGIST), Тэгу, Республика Кореи.Он получил оба его B.S. и М.С. Кандидат физических наук физического факультета Азербайджанского государственного университета, Баку. Он получил докторскую степень. Кандидат физико-математических наук (биофизика) Института биофизики АН СССР (1984, Пущино). Он является младшим редактором Международного журнала водородной энергии (Elsevier), редактором раздела BBA Bioenergetics (Elsevier), младшим редактором журнала «Исследования фотосинтеза» (Springer), младшим редактором журнала «Функциональная биология растений» (CSIRO) и младшим редактором the Photosynthetica (Springer) и член редколлегии более пятнадцати международных журналов.Он также выступает в качестве рефери для крупных международных журналов и заявок на получение грантов. Он является автором (или соавтором) более 400 научных работ, шести патентов и восьми книг. В 2016 году Thomson Reuters (Clarivate Analytics) признал его самым цитируемым российским исследователем в области биологии в мире. Он организовал более десяти международных конференций по фотосинтезу. Его исследовательские интересы включают структуру и функцию фотосистемы II, водоокисляющий комплекс, искусственный фотосинтез, фотопродукцию водорода, каталитическую конверсию солнечной энергии, растения в условиях экологического стресса и передачу сигналов фоторецепторов.

      Посмотреть полный текст

      © Elsevier B.V., 2018. Все права защищены.

      Predoctoral Achievement Award — IEEE Solid-State Circuits Society

      Награды за докторские достижения 

      Для небольшого числа многообещающих аспирантов премия IEEE SSCS Predoctoral Achievement Award предусматривает гонорар в размере 1000 долларов США, а также другие расходы, понесенные лауреатом.

      Кандидаты должны быть членами IEEE и Общества твердотельных схем и пройти не менее одного года обучения по программе докторантуры.в области твердотельных схем. Награды присуждаются на основе академических достижений и обещаний, качества публикаций и программы обучения последипломного образования, хорошо соответствующей уставу SSCS. Предыдущие победители Predoctoral Achievement Award не будут иметь права. Студентам одного главного советника в течение года присуждается не более двух наград.

       

      Прием заявок на участие в программе Predoctoral Achievement Awards 2021–2022 завершен. Пожалуйста, вернитесь осенью 2022 года для получения информации о подаче заявки на премию 2022–2023 годов.

       

       

      Контактный телефон

      Если у вас есть вопросы, пишите по адресу [email protected]


       

      2021–2022 Получатели премии за докторские достижения

       

       

      Ибрагим Абдо – Токийский технологический институт

      Ибрагим Абдо получил степень бакалавра наук. получил степень бакалавра электроники в Технологическом университете принцессы Сумайи (PSUT), Амман, Иордания, в 2014 г.В 2015 году он получил стипендию правительства Японии и поступил в Токийский технологический институт, где получил степень магистра технических наук. получил степень в области физической электроники в 2017 году. В настоящее время он защищает докторскую диссертацию. степень в области электротехники и электронной техники в Токийском технологическом институте. Его исследовательские интересы включают разработку схем беспроводных приемопередатчиков миллиметрового и субтерагерцового диапазона на КМОП-структурах с высокой скоростью передачи данных и реализацию фазированных решеток. Г-н Абдо является рецензентом журналов IEEE Journal of Solid-State Circuits (JSSC) и IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques (T-MTT).

       

       

       

      Чен Чен – Юта Даллас

      Чен Чен получил награду B.E. степень в области электротехники в Технологическом университете Хэфэй, Хэфэй, Китай, в 2014 году, и степень магистра. степень в области электротехники в Чжэцзянском университете, Ханчжоу, Китай, в 2017 году. В настоящее время она получает степень доктора философии. степень в Интегрированной энергетической лаборатории Техасского университета в Далласе, Ричардсон, Техас, США.

      Летом 2019 года она проходила стажировку по проектированию в компании Analog Devices, где занималась проектированием и оценкой повышающе-понижающих преобразователей. Ее текущие исследовательские интересы включают интегральные схемы управления питанием, топологии и методологии гибридных преобразователей мощности, а также методы переключения при нулевом напряжении.

      Результатом работы Чена стало несколько первых публикаций IEEE на Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC), Журнале твердотельных схем (JSSC), Конференции по специализированным интегральным схемам (CICC), Конгрессе и выставке по преобразованию энергии (ECCE), и т. д. Она была номинирована на премию за лучшую студенческую работу на конференции IEEE Custom Integrated Circuits Conference 2020.Она является лауреатом премии Student Designer Award от Analog Devices Inc.

      .

       

      Yingying Fan- Rice

      Инъин Фан получила свой B.E. степень в области информационных наук и инженерии Юго-восточного университета, Нанкин, Китай, в 2017 году, и ее степень магистра. степень в области электротехники и вычислительной техники Мичиганского университета в Анн-Арборе в 2019 году. С сентября 2019 года она начала работу над докторской диссертацией. степень в области электротехники и вычислительной техники под руководством Dr.Тайюн Чи в Университете Райса, Хьюстон, Техас. Ее исследовательские интересы включают интегрированные биосенсоры, биоприводы и гибридные системы биологии и электроники для приложений здравоохранения. В 2021 году она была удостоена стипендии Общества теории и техники микроволнового излучения (MTT-S) в области медицинских приложений и стипендии Cadence Women in Technology в 2021 году.

       

       

       

      Архисман Гош-Пердью

      Archisman Ghosh (Студент IEEE) получил степень B.Степень E. в области электроники и телекоммуникаций Университета Джадавпур, Индия, в 2017 году, и в настоящее время он получает докторскую степень. в Университете Пердью, где он является получателем престижной стипендии ECE Meissner (2019-2020) в качестве нового аспиранта. Его исследовательские интересы включают проектирование цифровых социальных сетей и аппаратную безопасность. Результатом его последних работ стало несколько публикаций в IEEE Journal of Solid-State Circuits (JSSC), International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), Custom Integrated Circuit Conference (CICC) и Design, Automation and Test in Europe (DATE).До получения докторской степени г-н Гош в течение 2 лет работал в отделе исследований и разработок Samsung Semiconductor India. Он проходил стажировку в Intel Labs, штат Орегон. Он был главным рецензентом нескольких известных журналов и конференций, в том числе Международной конференции IEEE по проектированию СБИС (VLSID) и беспроводной персональной связи (WPC) (Springer). Он также выступал в качестве вторичного рецензента на нескольких известных конференциях, включая DAC, DATE, IEEE HOST, ICCAD.

       

       

      Jiang Gong- TU Delft

      Цзян Гун получил награду B.наук степень в области электротехники и электронной инженерии в Цзилиньском университете, Чанчунь, Китай, в 2015 году. Он получил степень магистра наук. получил степень (с отличием) в области микроэлектроники Делфтского технологического университета, Делфт, Нидерланды, в ноябре 2017 г. С 2016 по 2017 гг. проходил стажировку в IMEC, Эйндховен, Нидерланды, где работал над маломощным кольцевым генератором. Цифровая схема PLL на основе дробного N с инжекцией и блокировкой для приложений IoT.

      В настоящее время он работает над докторской диссертацией. получил степень в Делфтском технологическом университете, Делфт, Нидерланды, специализируясь на криогенных синтезаторах частот с высокой спектральной чистотой и широким диапазоном перестройки для беспроводных, проводных и квантовых вычислений.Его докторская степень Результатом исследования стало несколько публикаций в Journal of Solid-State Circuits (JSSC), Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC), Симпозиуме по радиочастотным интегральным схемам (RFIC), Конференции по специализированным интегральным схемам (CICC) и Международном симпозиуме по схемам и Системы (ИСКАС).

       

      Хан Хао-UPenn

      Хань Хао получил степень бакалавра наук. степень в области электротехники Хуачжунского университета науки и технологий (HUST), Ухань, Китай, в 2015 году.Затем он получил степень магистра наук. получил степень в области электротехники в Университете Пенсильвании (UPenn), Филадельфия, Пенсильвания, США, в 2017 году. С 2017 года он получает степень доктора философии. степень в UPenn под руководством профессора Фируза Афлатуни и профессора Яна Ван дер Шпигеля на кафедре ESE.

      Его исследовательский интерес заключается в разработке интегральных схем для широкого спектра приложений, включая интерфейс мозг-машина, сенсорный интерфейс, приемопередатчики связи с человеческим телом, высокоскоростные кремниевые фотонные приемопередатчики и биозондирование в ближнем инфракрасном диапазоне.Он является первым автором нескольких журналов SSCS и публикаций на конференциях по различным системам в различных частотных режимах от субкГц до оптических, включая JSSC, TMTT, TBioCAS, RFIC и CICC. Он является рецензентом журнала IEEE Open Journal of the Solid-State Circuits Society и конференции IEEE Biomedical Circuits and Systems. Он является получателем стипендии за академические успехи (от HUST), премии за лучшую магистерскую диссертацию (от UPenn ESE) и награды за лучшую студенческую работу на симпозиуме IEEE RFIC 2020 (1-е место).

       

      Ян Хер-Райс

      Ян Он получил степень бакалавра. степень в области электронных наук и технологий Чжэцзянского университета, Ханчжоу, Китай, в 2018 году. Он получил степень магистра технических наук. степень в области электротехники и вычислительной техники Университета Райса, Хьюстон, Техас, в 2021 году, где он в настоящее время получает степень доктора философии. степень. Он является членом лаборатории безопасных и интеллектуальных микросистем (SIMS), которой руководит профессор Кайюань Ян.

       

      Его исследовательские интересы включают проектирование интегральных схем со смешанными сигналами для управления питанием и аппаратной безопасности. Он был стажером в NVIDIA, США, где работал над проектом, связанным с безопасностью, в течение 2021 года. Он является (соавтор) первым автором трех статей на Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC) и одной на Custom Integrated Circuit Conference. (ЦИКК). Он получил награду CICC за лучшую бумагу 2021 года.

       

      Шоубхик Кармакар – Делфтский технологический университет

      Шоубхик Кармакар получил награду B.E. степень в области электротехники и электроники в Институте технологии и науки Бирла, Гоа, Индия, в 2012 году, и степень М.наук степень в области микроэлектроники Делфтского технологического университета, Делфт, Нидерланды, в 2017 году. В настоящее время он получает степень доктора философии. степень в сотрудничестве с Goodix Semiconductors в Делфтском технологическом университете. Его докторская степень исследования сосредоточены на высокопроизводительных усилителях класса D для различных приложений.

      В период с 2014 по 2015 год он был научным сотрудником в группе СБИС, ИИТ Мадрас, Ченнаи, Индия. С 2016 года он работает в Лаборатории электронных приборов Делфтского технологического университета.Его текущие исследовательские интересы включают высокопроизводительные аудиоусилители класса D, энергоэффективные преобразователи данных и прецизионные аналоговые схемы. Он был рецензентом журналов IEEE Journal of Solid-State Circuits и IEEE Open Journal of the Solid-State Circuits.

       

       

      Джуёп Ким-КАИСТ

      Джуёп Ким (Студент, IEEE) родился в Чанвоне, Южная Корея, в 1994 году. Он получил степень бакалавра наук. и М.С. получил степень в области электротехники в Ульсанском национальном институте науки и технологий (UNIST), Ульсан, Южная Корея, в 2017 и 2020 годах соответственно.В настоящее время он получает докторскую степень. получил степень в Корейском передовом институте науки и технологий (KAIST), Тэджон, Южная Корея. Его текущие исследовательские интересы включают разработки КМОП аналоговых/смешанных ИС, особенно синтезаторов частоты со сверхнизким джиттером для мобильных систем 5G.

      Он получил бронзовую премию Samsung HumanTech и почетное упоминание в области дизайна схем в 2019 и 2018 годах соответственно. Он также получил награду за лучшую бумагу от Центра сотрудничества KAIST-Samsung в 2021 году и специальную корпоративную награду от конкурса Korea Semiconductor Design Competition в 2020 и 2021 годах.

       

       

       

       

      Кеун-Мок Ким-КАИСТ

      Кын-Мок Ким получил B.S. и М.С. получил степень в области электротехники в Корейском передовом институте науки и технологий (KAIST), Тэджон, Южная Корея, в 2016 и 2018 годах соответственно, где он в настоящее время получает степень доктора философии. степень. Его текущие исследовательские интересы включают сверхмаломощные радиостанции с пробуждающим приемником для различных приложений, таких как Интернет вещей (IoT), маломощные глобальные сети (LPWAN), биомедицинские и субтерагерцовые технологии. на основе маломощной КМОП-схемы.Результаты его исследований представлены на конференциях и журналах IEEE в качестве первого автора, включая Journal of Solid-State Circuits (JSSC), International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), Asian Solid-State Circuits Conference (A-SSCC) и European Solid-State Circuits Conference (A-SSCC). Конференция по твердотельным схемам (ESSCIRC). Он был удостоен награды министра торговли, промышленности и энергетики на 21-м Корейском конкурсе разработчиков полупроводников (2020 г.). С 2020 года он работал рецензентом IEEE JSSC и IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques (TMTT).

       

      Университет Чангук Ли-Ёнсей

       Чангук Ли получил B.S. получил степень в области электротехники и электроники в Университете Йонсей, Сеул, Южная Корея, в 2016 году, где он в настоящее время получает степень магистра. и доктор философии степень в области электротехники и электронной техники по рекомендации профессора Юнчхоль Че. Его текущие исследовательские интересы включают дельта-сигма модулятор с непрерывным временем, высокоточные аналоговые схемы, сенсорные интерфейсы с низким уровнем шума и миниатюрный беспроводной нейронный интерфейс.Его докторская степень Результатом исследования стало несколько публикаций в Journal of Solid-State Circuits (JSSC), International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), Symposium On VLSI Circuits (SOVC), Custom Integrated Circuits Conference (CICC), European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC). ) и Азиатской конференции по твердотельным схемам (ASSCC).

      Он получил бронзовую премию (2018 г.) и приз Sliver Prize (2020 г.) на конкурсе Samsung Human-Tech Paper Award в области проектирования схем, организованном Samsung Electronics, награду IEEE SSCS Student Travel Grant (2021–2022) и IEEE SSCS Predoctoral Achievement. Премия (2021-2022).

       

      Нага Сасикант Маннем-Технологический институт Джорджии

      Naga Sasikanth Mannem (S’18) получил B.Tech. и М.Тех. получил степень в области электроники и инженерии электросвязи со специализацией в СБИС Индийского технологического института Харагпура (IIT KGP), Харагпур, Индия, в 2018 году. В настоящее время он получает степень доктора наук в области электротехники в Технологическом институте Джорджии, Атланта, Джорджия, США. , где он является членом лаборатории электроники и микросистем Технологического института Джорджии (лаборатория GEMS) под руководством проф.Хуа Ван. Его текущие исследовательские интересы включают интегральные схемы и системы ВЧ/мм-диапазона, уделяя особое внимание решению различных задач и проблем, связанных с системами с фазированными решетками.

      Г-н Маннем является рецензентом журналов IEEE Journal on Solid State Circuits (JSSC), IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques (TMTT) и IEEE Transactions on Circuits and Systems. Г-н Маннем был удостоен награды ISSCC Analog Devices Inc. за выдающийся студенческий дизайнер в 2021 году. Он был удостоен награды IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC) за лучшую студенческую работу (2-е место) на RFIC 2021 и со-получатель за лучшую студенческую работу, 2-е место на Международном микроволновом симпозиуме IEEE (IMS), 2021 г.

       

      Инхо Парк – Корейский университет

      Inho Park (S’16) получил B.S. получил степень в области электротехники в Корейском университете, Сеул, Южная Корея, в 2016 году, где в настоящее время он учится в объединенной магистратуре. и доктор философии градусов.

      Он работал над ИС управления питанием, особенно высоковольтным силовым преобразователем на основе кремния, проектированием маломощных аналоговых схем CMOS, системами сбора энергии, зарядным устройством, линейным регулятором мощности, переключаемым индуктивно-емкостным преобразователем и гибридным преобразователем постоянного тока. -преобразователи постоянного тока.Результатом его работы стало несколько публикаций в Journal of Solid-State Circuits (JSSC), International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) и Symposium on VLSI Circuits (VLSIC) и т. д. В 2016 г. г-н Парк был удостоен награды Qualcomm Innovation Award. и 2017 г., а также лауреат 25-й премии Samsung Humantech Paper Award от Samsung Electronics в 2019 г.

       


      Суджин Парк- KAIST

      Суджин Пак получил награду B.С. и М.С. получила степень в области электротехники в Корейском институте передовых наук и технологий, Тэджон, Южная Корея, в 2016 и 2018 годах соответственно, где она в настоящее время получает степень доктора философии. степень. Ее текущие исследовательские интересы включают схемы интерфейса датчиков, емкостно-цифровой преобразователь, интегрированные датчики CMOS и генерацию тактовых импульсов.

      Она была приглашенным аспирантом Мичиганского университета, Анн-Арбор, штат Мичиган, США, с 2019 по 2020 год. Она была лауреатом премии «Выдающийся плакат студенческого исследования» на ISSCC 2019, премии «Восходящие звезды» на IEEE SSCS Women in Circuits 2020 и грант на студенческие поездки на ISSCC 2020.

       

       

      Масуд Пашаифар – Делфтский технологический университет

      Масуд Пашаифар (S’20) получил степень бакалавра наук. степень Керманского университета Шахида Бахонара, Керман, Иран, в 2011 г., и степень магистра наук. степень в области электротехники, схем и систем Тегеранского университета, Тегеран, Иран, в 2013 году. Он был научным сотрудником в лаборатории маломощных высокопроизводительных наносистем Тегеранского университета, Тегеран, Иран, работая над оценка качества и оптимизация приблизительных сумматоров для приложений цифровой обработки сигналов.Более четырех лет он был руководителем исследовательской группы аппаратного обеспечения в компании Bakhtar Communication Company, Тегеран, Иран. В настоящее время он получает докторскую степень. степень в области электротехники Делфтского технологического университета, Делфт, Нидерланды. Его исследовательские интересы включают приемопередатчики радиочастотного и миллиметрового диапазона для сотовых приложений 5G, в основном с упором на высокоэффективные, но линейные усилители мощности для систем с фазированной решеткой.

      Г-н Пашаифар является рецензентом журнала IEEE Journal of Solid-State Circuits (JSSC) и журнала IEEE Transactions on Circuits and Systems (TCAS-I).Он является лауреатом премии IEEE Predoctoral Achievement Общества твердотельных схем за 2021–2022 годы.

       

      Корентин Почет – Калифорнийский университет в Сан-Диего

      Corentin Pochet (S’17) получил B.S. и степени ME в области электротехники по совместной программе Свободного университета Брюсселя (ULB) и Свободного университета Брюсселя (VUB), Брюссель, Бельгия, в 2014 и 2016 годах соответственно. В настоящее время он получает докторскую степень. получил степень в области электротехники и вычислительной техники в Калифорнийском университете в Сан-Диего (UCSD), Ла-Хойя, Калифорния, США, в лаборатории биосенсоров и биоэлектроники под руководством своего советника Дрю Холла. В 2021 году он был стажером по смешанным сигналам в Qualcomm, где работал над архитектурами вычислений в памяти.

      Его исследовательские интересы включают разработку маломощных аналоговых входных схем и аналого-цифровых преобразователей с временной привязкой для Интернета вещей, носимых устройств и биомедицинских приложений. Результатом его докторской диссертации стало несколько публикаций в Journal of Solid-State Circuits (JSSC), International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) и Transactions on Biomedical Circuits and Systems (TBioCAS).Он выступал в качестве рецензента для Транзакций по схемам и системам I (TCASI) и Транзакций по биомедицинским схемам и системам (TBioCAS). Г-н Поше был получателем стипендии Анри Бенедиктуса Бельгийско-американского образовательного фонда (BAEF) в 2016 году.

       

      Junjun Qiu – Токийский технологический институт

      Junjun Qiu (S’19) получил степень бакалавра наук в области электротехники и электроники в Восточно-китайском университете науки и технологий, Шанхай, Китай, в 2016 году. Она получила степень ME в области электротехники и электронной инженерии в Токийском технологическом институте, Токио, Япония, в 2018 году. В настоящее время она получает степень доктора философии. степень в области электротехники и электронной техники в Токийском технологическом институте, Токио, Япония.

      Она занималась полностью синтезируемой цифровой схемой основной полосы частот для системы беспроводного приемопередатчика субгигагерцового диапазона. Ее текущие исследовательские интересы включают проектирование высокопроизводительной схемы фазовой автоподстройки частоты и проектирование системы беспроводной связи со смешанным сигналом для Bluetooth с низким энергопотреблением.

       

      Г-жа Цю получила награду IEEE SSCS Student Travel Grant Award в 2020 году.

       

       

      Сэм Разавиан- UCLA

      Сэм Разавиан получил степень бакалавра наук. степень в области электротехники в Технологическом университете Шарифа, Тегеран, Иран, в 2016 году, и степень магистра наук. степень в области электротехники и вычислительной техники Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе, Калифорния, США, в 2019 году, где он в настоящее время получает степень доктора философии.степень. Он был стажером по проектированию RFIC в Qualcomm Inc., Сан-Хосе, Калифорния, США, в 2020 и 2021 годах, где он работал над системами громкой связи и полнодуплексными системами для радиочастотных приложений.

       

      В настоящее время его исследования сосредоточены на передатчиках и приемниках миллиметрового и терагерцового диапазона для различных приложений, включая широкополосное зондирование, гиперспектральную визуализацию и высокоскоростную связь. Результатом его исследований стали различные публикации на Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC), Симпозиуме по радиочастотным интегральным схемам (RFIC), Международном симпозиуме по микроволновым технологиям (IMS), BiCMOS и Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS) и IEEE Transactions on Микроволновая теория и методы (TMTT).

       

      Тие Ройерс – Технический университет Делфта

      Тие Ройерс получил степень бакалавра наук. степень в области электротехники Делфтского технологического университета, Делфт, Нидерланды, в 2013 году. Он получил степень магистра наук. получил степень в области микроэлектроники в том же университете в 2016 году. В настоящее время он защищает докторскую диссертацию. получил степень в Делфтском технологическом университете, специализируясь на уменьшении несовершенства усилителей с компенсацией динамического смещения.

       

      г.Ройерс был удостоен награды ADI «Выдающийся студенческий дизайнер» в 2018 году, награды ProRISC за лучшую устную презентацию в 2019 году, награды ProRISC за лучший плакат в 2021 году и серебряной награды на конкурсе студенческого дизайна Huawei в 2021 году.

       

       

       

      Хуман Саиди — Принстон

      Hooman Saeidi получил степень бакалавра наук в области электротехники в Технологическом университете Шарифа, Тегеран, Иран, в 2017 году и степень магистра искусств в области электротехники в Принстонском университете, Принстон, в 2019 году.

      В настоящее время он доктор философии. Кандидат в Принстонском университете, и его исследовательские интересы включают реконфигурируемость в системах миллиметрового диапазона и электромагнитных интерфейсах, программируемые микросхемы миллиметрового и терагерцового диапазона, а также генерацию электроэнергии субтерагерцового и терагерцового диапазонов с использованием кремния и технологий III-V.

       

      Он был удостоен нескольких наград, в том числе премии аналоговых устройств ISSCC 2020 «Выдающийся студенческий дизайнер», награды за преподавание факультета ECE Принстонского университета, кандидата наук кафедры ECE в Принстонском университете.Премия D., стипендия Яна Хо * 94 для выпускников Принстонского университета и награда за лучшую студенческую работу IRMMW 2021, 2-е место.

       

       

      Драган Симич- KU Лёвен

      Драган Шимич родился в Сремска-Митровице, Сербия, в 1993 году. Он получил степень бакалавра наук. и магистр наук. получил степень в области электротехники в Белградском университете, Белград, Сербия, в 2015 и 2016 годах соответственно. В настоящее время он получает докторскую степень. степень в Исследовательской группе MICAS, KU Leuven, Leuven, Бельгия.

      С 2015 по 2016 год он проходил стажировку в NovelIC, Белград, где работал над проектированием аналоговых и радиочастотных интегральных схем для интегрированных сенсорных систем. С 2016 года он работает в исследовательской группе MICAS, KU Leuven, в качестве научного сотрудника. Его текущие исследовательские интересы включают схемы миллиметровых и терагерцовых (ТГц) волн для систем связи и датчиков.

       

      Г-н Симик является рецензентом журнала IEEE Journal of Solid-State Circuits (JSSC) и журнала IEEE Transactions on Circuits and Systems I (TCASI).

       

      Ариан Хашеми Талхунчех – Калифорнийский технологический институт

      Ариан Хашеми Талхунче (S’15) получил степень бакалавра наук. степень в области электротехники в Технологическом университете Шарифа, Тегеран, Иран, в 2015 году, и степень магистра наук. получил степень в Калифорнийском технологическом институте (Caltech), Пасадена, Калифорния, США, в 2016 г., где он в настоящее время получает степень доктора философии. степень в области электротехники, консультирует Азита Эмами.

      Ариан был стажером-исследователем в NVIDIA Circuit Research Group осенью 2020 года.Его текущие исследовательские интересы включают проектирование ИС аналоговых/смешанных сигналов для высокоскоростных оптических межсоединений (кремниевые фотонные приемопередатчики) и биомедицинских приложений (сборщики энергии на биотопливных элементах и ​​маломощные биосенсоры).

      Результатом его исследования стала первая авторская публикация IEEE на Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC), Journal of Solid-State Circuits (JSSC), Custom Integrated Circuits Conference (CICC) и IEEE Photonics Conference (IPC). Он был лауреатом премии IEEE Custom Integrated Circuits Conference (CICC) за лучшую студенческую работу в 2020 году. Обладатель Национальной золотой медали и Международной серебряной медали олимпиады по астрономии и астрофизике в 2010 и 2011 годах.

       

      Тьерри Тамб-Гарвард

      Тьерри Тамбе является кандидатом наук по электротехнике 4-го года обучения в Гарвардском университете, консультируемым профессорами Гу-Йон Вей и профессором Дэвидом Бруксом. Его текущие исследовательские интересы сосредоточены на разработке энергоэффективных и высокопроизводительных алгоритмов, аппаратных ускорителей и систем для машинного обучения и, в частности, обработки естественного языка.Он также проявляет большой интерес к гибким методологиям проектирования SoC.

      До поступления в докторантуру г-н Тамбе работал инженером в Intel в Хиллсборо, штат Орегон, США, разрабатывая различные аналоговые/смешанные сигнальные архитектуры для памяти с высокой пропускной способностью и периферийных интерфейсов на однокристальных системах Xeon и Xeon-Phi HPC. Он получил B.S. в 2010 году и M. Eng. в 2012 году по специальности «Электротехника» Техасского университета A&M.

       

      Г-н Тамбе в 2021 г. получил высококонкурентную стипендию NVIDIA Graduate PhD Fellowship и получил награду за лучшую статью 2020 г. на конференции ACM/IEEE Design Automation за свою работу по совместному проектированию аппаратного и программного обеспечения для квантования нейронных сетей.Кроме того, он опубликовал несколько статей об энергоэффективной аппаратной поддержке приложений ИИ на Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC), симпозиуме IEEE по схемам СБИС и Международном симпозиуме IEEE/ACM по микроархитектуре (MICRO).

       

      Чжаовэнь Ван, Колумбия

      Чжаовэнь Ван получил степень бакалавра технических наук. получил степень в области электроники и информационной инженерии в Чжэцзянском университете, Ханчжоу, Китай, в 2017 году. В настоящее время он защищает докторскую диссертацию.Степень доктора философии в Колумбийском университете, Нью-Йорк, штат Нью-Йорк, США. Его исследовательские интересы включают тактирование для проводной связи и проектирование оптических линий связи. Он опубликовал несколько статей о методах синхронизации проводных сетей в журнале IEEE Journal of Solid-State Circuits (JSSC) и на Международной конференции IEEE по твердотельным схемам (ISSCC).

      Г-н Ван был стажером-исследователем ASIC миллиметрового диапазона в Nokia Bell Labs, Мюррей-Хилл, штат Нью-Джерси, США, летом 2019 года и получил награду Nokia Bell Labs за инновационный проект.Он был получателем стипендии Wei Family Foundation в 2017 году, награды магистра наук Департамента EE в 2019 году и премии ADI «Выдающийся студент-дизайнер» в 2021 году.

       

      Шаньшань Се, Юта, Остин

      Шаньшань Се получила степень бакалавра наук в области электротехники и вычислительной техники (ECE) в Вустерском политехническом институте (WPI), Вустер, Массачусетс, США, в 2018 году, и в настоящее время она получает степень магистра. и доктор философии степень в области электротехники и вычислительной техники Техасского университета в Остине (UT Austin), Остин, Техас, США. Ее исследовательские интересы включают разработку смешанных сигналов для методов вычислений в памяти, ускорителей машинного обучения и процессоров отжига.

      Она проходила стажировку в компании Analog Devices, Уилмингтон, Массачусетс, США, и в компании Texas Instrument Corporation, Даллас, штат Техас, США, где она занималась инструментальным усилителем с программируемым усилением, монитором частоты сердечных сокращений ЭКГ, изоляционными продуктами CAN. В 2020 году она получила стипендию Cadence Women in Technology Scholarship от Cadence.

       

       

      Бинчжэн Ян- UESTC

      Бинчжэн Ян получил B.Степень E. (с отличием) в области микроэлектроники Университета электронных наук и технологий Китая (UESTC), Чэнду, Китай, в 2016 г., где он в настоящее время получает степень доктора философии. по специальности «микроэлектроника и твердотельная электроника».

      Область его научных интересов включает цифровые передатчики с фазированной антенной решеткой ВЧ/СВЧ/миллиметрового диапазона и встроенные пассивные схемы ВЧ/СВЧ/миллиметрового диапазона.

       

      Г-н Ян стал лауреатом премии IEEE MTT-Society Graduate Fellowship Award 2021.Он выступает в качестве рецензента IEEE Microwaves and Wireless Component Letter и IET Microwaves, Antennas & Propagation.

       

       

      Джоан Тан Си Ин, Университет Сингапура

      Джоан Си Ин Тан (Студент, IEEE) получила степень бакалавра технических наук. и M.Eng. степени в области электротехники в Национальном университете Сингапура (NUS), Сингапур, в 2018 и 2020 годах соответственно, где она в настоящее время получает степень доктора философии. степень с кафедрой электротехники и вычислительной техники.В настоящее время ее исследовательский интерес сосредоточен на маломощных системах измерения температуры.

       

      Г-жа Тан была лауреатом/со-лауреатом Премии IEEE SSCS Predoctoral Achievement Award 2021–2022, Сертификата признания демонстрационной сессии IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 2020 (демонстрационная награда) и премии ISSCC 2020 для студенческих поездок.

       

       

       

      Чжанхао Ю- Райс

      Чжанхао Ю получил награду B.Степень E. в области проектирования интегральных схем и интегрированных систем Университета электронных наук и технологий Китая, Чэнду, Китай, в 2016 году, и степень магистра. получил степень в области электротехники в Университете Южной Калифорнии, Лос-Анджелес, Калифорния, в 2018 году. В настоящее время он получает степень доктора философии. степень в области электротехники и вычислительной техники в Университете Райса, Хьюстон, Техас, под руководством профессора Кайюань Ян.

      Его исследовательские интересы включают разработку аналоговых и смешанных интегральных схем для биоэлектроники, управление питанием, связь с низким энергопотреблением и безопасность.Он является соавтором пяти статей в журналах Nature Biomedical Engineering, Journal of Solid-State Circuits (JSSC), Transactions on Biomedical Circuits and Systems (TBioCAS), International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) и Custom Integrated Circuits. Конференция (CICC). Он был удостоен награды за лучшую работу на CICC 2021 года как первый автор и со-лауреат финалиста премии за лучшую студенческую работу на CICC 2019 года.

       

       

      Получатели прошлых докторских достижений

      ГОД
      ПОЛУЧАТЕЛЬ
      ПРИСОЕДИНЕНИЕ
      2020-2021

      Ахмад Резванитабар

      Али Бинайе

      Андреа Руффино

      Анджана Диссанаяке

      Аоян Чжан

      Ая Амер

      Дебаян Дас

      Элли Де Пелесейн

      Джерард О’Лири

      Чонсуп Ли

      Цзямин Ли

      Куан-Чанг Чен

      Луя Чжан

      Милад Фроунчи

      Мин-Ву Ко

      Мохамед Ибрагим

      Мохаммад Хоршидиан

      МунХён Чан

      Сачин Танеджа

      Ши Бу

      Вэй Ши

      Сюнь Сунь

      Иян Шу

      Технологический институт Джорджии

      Колумбия

      EPFL

      Вирджиния

      УСК

      Массачусетский технологический институт

      Пердью

      КУЛ

      Университет Торонто

      Мичиган

      Университет Сингапура

      Калифорнийский технологический институт

      Калифорнийский университет в Беркли

      Технологический институт Джорджии

      КАИСТ

      Массачусетский технологический институт

      Колумбия

      Ульмский университет

      Университет Сингапура

      Калифорнийский университет в Лос-Анджелесе

      UT Остин

      Вашингтонский университет

      УЭСТК

      2019-2020

      Пуян Бассириан

      Минчан Чо

      Махмуд Эльхебери

      Суджан Гонугондла

      Кайчжэ Го

      Тяньюй Цзя

      Сюян Лу

      Махмуд Махдипур

      Карим Мегавер

      Поддон для синения

      Бишну Патра

      Реза Пажоуханде

      Афанасиос Рамкай

      Хесам Садеги

      Ченг Ван

      Фэй Ван

      Цзы-Фан Ву

      Сеён Ю

      Хаошэн Чжан

      Венда Чжао

       

      Университет Вирджинии

      Мичиганский университет

      Калифорнийский университет, Лос-Анджелес

      Университет Иллинойса

      Католический университет Левен

      Северо-Западный университет

      Принстонский университет

      Университет Павии

      Университет Иллинойса

      Делфтский технологический университет

      Делфтский технологический университет

      Университет Торонто

      Католический университет Левен

      Университет штата Пенсильвания

      Массачусетский технологический институт

      Технологический институт Джорджии

      Университет Южной Калифорнии

      Корейский передовой институт науки и технологий

      Токийский технологический институт

      Техасский университет

       

      2018 — 2019

      Шейх Ниджам Али

      Уджун Чой

      Махмуд Бараани Дастьджерди

      Хани Эсмаилзаде

      Бурак Гонен

      Мин-Юн Хуанг

      Хоссейн Джалили

      Яояо Цзя

      Хаовэй Цзян

      Чи Чеоу Лим

      Париса Махмударян

      Нандиш Мехта

      Сусната Мондал

      Аравинд Нагулу

      Цзянь Пан

      Фахим ур Рахман

      Ангад Рехи

      Камала Рагхаван Садагопан

      Линьсяо Шэнь

      Кодай Уэёси

      Йи-Чунг Ву

      Ян Цзян

      Хиин Юн

      Цзинчжи Чжан

      Штат Вашингтон

      Университет Йонсей

      Колумбийский университет

      Калифорнийский университет, Лос-Анджелес

      ТУ Делфт

      Технологический институт Джорджии

      Калифорнийский университет, Дэвис

      Технологический институт Джорджии

      Калифорнийский университет, Сан-Диего

      Университет Малайи

      Штат Аризона

      Калифорнийский университет Беркли

      Университет Карнеги-Меллона

      Колумбийский университет

      Токийский технологический институт

      Вашингтонский университет

      Стэнфордский университет

      Университет штата Орегон

      Техасский университет

      Университет Хоккайдо

      Тайваньский национальный университет

      Университет Макао

      Ульсанский национальный технологический институт

      Университет электронных наук и технологий Китай

      2017-2018

      Али Мостаджеран

      Берт Мунс

      Чандракант Чаппиди

      Чул Ким

      Ханли Лю

      Ханс Рейзерхове

      Хуэй Цзян

      Комаил Бадами

      Коркут Каан Токгоз

      Махди Ассефзаде

      Най-Чунг Куо

      Николя Буцен

      Рузбе Кананизаде

      Се-Ун Шин

      Шаньшань Дай

      Шаолань Ли

      Шию Су

      Тайюнь Чи

      Вэй-Хан Ю

       

       

      Мичиганский университет

      КУ Левен

      Принстон

      UCSD

      Токийский технологический институт

      КУ Левен

      ТУ Делфт

      КУ Левен

      Токийский технологический институт

      Рис

      Калифорнийский университет в Беркли

      КУ Левен

      Калифорнийский университет в Дэвисе

      КАИСТ

      Коричневый

      UT Остин

      УСК

      Технологический институт Джорджии

      Унив. Макао

       

       

      2016-2017

      Чен Цзян

      Ченг-Ру Хо

      Харипрасад Чандракумар

      Парк Чонсок

      Цзюньфэн Цзян

      Цзюньмин Цзян

      Кайюань Ян

      Ка-Мэн Лэй

      Кёнгрёль Бонг

      Линьюй Хун

      Лоаи Салем

      Марко Виджиланте

      Негар Рейскаримян

      Ромеш Нандвана

      Саад Бин Насир

      Шериф Шакиб

      Унсу Ха

      Усок Чхве

      Сюэ Ву

      Ю-Синь Чен

      Чжицян Хуан

       

      Корнельский университет

      Университет Южной Калифорнии

      Калифорнийский университет — Лос-Анджелес

      Технологический институт Джорджии

      ТУ Делфт

      Гонконгский университет науки и технологий

      Мичиганский университет

      Университет Макао

      Корейский передовой институт науки и технологий

      Принстонский университет

      Калифорнийский университет — Сан-Диего

      КУ Левен

      Колумбийский университет

      Университет Иллинойса — Урбана Шампейн

      Технологический институт Джорджии

      Техас А&М

      Корейский передовой институт науки и технологий

      Университет Иллинойса — Урбана Шампейн

      Принстонский университет

      Массачусетский технологический институт

      Гонконгский университет науки и технологий 

       

      2015-2016

      Зешан Ахмад

      Мухаммад Авайс бин Альтфаф

      Масуд Бабайе

      Ахмед Эхоли

      Самид Хамид

      Хёк-Ки Хонг

      Инджун Хонг

      Сун Ху

      Ючан Ким

      Сяосен Лю

      Синьлинь Лю

      Ханс Мейварт

      Салех Хейдари Шалмани

      Тирачот Сирибуранон

      Амрит Сукумаран

      Тонг Чжан

      Воутер Волкартс

      Цзяньсюнь Чжу

      Цзинь Чжоу

      Техасский университет в Далласе

      Масдарский институт науки и технологий

      ТУ Делфт

      Университет Иллинойса, Урбана-Шампейн

      Калифорнийский университет, Лос-Анджелес

      Корейский передовой институт науки и технологий 

      Корейский передовой институт науки и технологий

      Технологический институт Джорджии

      Корейский передовой институт науки и технологий 

      Техасский университет A&M

      Университет Пенсильвании

      Левенский университет (KU Leuven)

      ТУ Делфт

      Токийский технологический институт

      Индийский технологический институт — Мадрас

      Вашингтонский университет

      КУ Левен

      Колумбийский университет

      Колумбийский университет

      2014-2015

      Теджасви Ананд

      Чи-Ханг Чан

      Беги Чен

      Линь Ченг

      Кунал Датта

      Брехт Франсуа

      Севук Хван

      Чжичэн Линь

      Прамод Мурали

      Натали Рейндерс

      Гуанхуа Шу

      Хао-Йен Тан

      Хао Ву

      Цзявэй Сюй

       

      Университет Иллинойса, Урбана Шампейн

      Университет Макао

      Университет Южной Калифорнии

      Гонконгский университет науки и технологий

      Университет Южной Калифорнии

      Левенский университет (KU Leuven)

      Корейский университет

      Университет Макао

      Калифорнийский университет, Беркли

      Левенский университет (KU Leuven)

      Университет Иллинойса, Урбана Шампейн

      Калифорнийский университет, Беркли

      Калифорнийский университет, Лос-Анджелес,

      ТУ Делфт

       

      2013-2014

      Бенруз Абири

      Джун-Чау Чиен

      Минг-Шуан Чен

      Хин-Сик Ким

      Ян Лу

      Юэ Лу

      Цзушу Ян

      Дисянь Чжао

       

       

      Калифорнийский технологический институт

      Тайваньский национальный университет

      Тайваньский национальный университет

      КАИСТ

      Гонконгский университет науки и технологий

      Калифорнийский университет в Беркли

      Университет Макао

      КУ Левен

       

       

      2012-2013

      Цзяшу Чен

      Вэй Дэн

      Руонан Хан

      Линкай Конг

      Хань-Фук Ле

      И-Тинг Ли

      Ахмед Муса

      Камран Сури

       

      Калифорнийский университет в Беркли

      Токийский технологический институт

      Корнельский университет

      Калифорнийский университет в Беркли

      Калифорнийский университет в Беркли

      Тайваньский национальный университет

      Токийский технологический институт

      Технологический факультет Делфтского университета

       

      2011-2012

      Крис Майни

      Мейсам Назари

      Кошик Сенгупта

      Яхья Тоуси

      ИМЭК, Бельгия

      Калифорнийский технологический институт

      Калифорнийский технологический институт

      Корнельский университет

       

      Получатели стипендии для докторантов

      ГОД
      ПОЛУЧАТЕЛЬ
      ПРИСОЕДИНЕНИЕ

      2010-2011

      Вурам Ли Корнельский университет
      2009-2010 Чэнцзе Цзо Пенсильванский университет
       
      2008-2009 Анкуш Гоэль
      Ши-Ан Ю
      USC
      Колумбийский университет
      2007-2008 Джинтэ Ким
      Судип Шекхар
      UCLA
      Вашингтонский университет
      2006-2007 Питер Попплуэлл
      Чинмая Мишра
      Карлтонский университет
      Техасский университет A&M
      2002-2006 ни один не награжден
      2001-2002 Эмад Хегази
      Джон Вм. Роджерс
      Калифорнийский университет в Лос-Анджелесе
      Карлтонский университет
      2000-2001 Лян Диа
      Джафар Савой
      Университет Миннесоты
      Калифорнийский университет в Лос-Анджелесе
      1999-2000 Марк Спэт
      Шэнвэй Да
      Массачусетский технологический институт
      Калифорнийский университет в Дэвисе
      1998-1999 Йоуко Ванкка Хельсинкский технологический университет
      1997-1998 Фарбод Бехбахани Калифорнийский университет, Лос-Анджелес
      1996-1997 Озан Э.Эрдоган Калифорнийский университет, Дэвис
      1995-1996 Ян Кролс Католический университет Левен
      1994-1995 Кеннет Дж. Шульц Университет Торонто
      1993-1994 Эндрю Э. Стивенс Колумбийский университет
      1992-1993 Майкл Флинн Университет Карнеги-Меллона
      1991-1992 Фан Лу Калифорнийский университет, Лос-Анджелес
      1990-1991 ни один не награжден
      1989-1990 ни один не награжден
      1988-1989 Терри Физ Университет штата Орегон
      1987-1988 Бернхард Бозер Стэнфордский университет
      1986-1987 Ллойд Массенгилл Университет штата Северная Каролина
      1985-1986 р. Уэйн Джонсон Обернский университет
      1984-1985 Перри Робертсон Университет Клемсона
      1983-1984 Эмиль Гирчик Карлтонский университет

      Отметьте в календаре

      2019

      9-12 апреля 2019 • Хорватская встреча химиков • Шибеник, Хорватия

      26-я Хорватская встреча химиков и инженеров-химиков (26HSKIKI)

      проф.Д-р Александра Сандер, председатель научного и организационного комитета, электронная почта: [email protected], http://www.26hskiki.org

      15–18 апреля 2019 г. • Макромолекулярная инженерия • Стелленбош, Южная Африка

      13-я Международная Конференция по передовым полимерам с помощью макромолекулярной инженерии (APME)

      Берт Клумперман, председатель конференции, , Анели Фури, секретарь конференции, ac.za>, http://academic .sun.ac.za/apme

      12–19 мая 2019 г. • ИЮПАК для Африки • Дар-эс-Салам, Танзания

      ИЮПАК для Африки: Летняя школа последипломного образования по зеленой химии

      Проф.Эгид Мубофу – председатель Организационного комитета, проректор Университета Додомы (UDOM), электронная почта: [email protected] • http://www.tcs-tz.org/iupac_summer_school_2019.htm

      19-23 Май 2019 г. • Полимеры для устойчивого глобального развития • Катманду, Непал

      Международный форум по характеристике полимеров (IPCF) POLY-CHAR 2019

      Председатель: Рамешвар Адхикари, электронная почта: [email protected], https://polychar2019. org/

      19–24 мая 2019 г. • Защита растений • Гент, Бельгия

      14-й Международный конгресс по химии средств защиты растений IUPAC

      Prof.ир. Питер Спаноге; Электронная почта: [email protected], Onderzoeksgroep Fytofarmacie/Crop Protection Chemistry, Campus Coupure, 9000 Ghent, Belgium, www. iupac2019.be

      20 мая 2019 г. • Всемирный день метрологии

      День празднования подписания Метрической конвенции в тот день в 1875 году в Париже приняли участие 17 стран. В 2019 году он совпадет с внедрением новой СИ.

      2–6 июня 2019 г. • Супрамолекулярная химия • Лечче, Италия

      14-й Международный симпозиум по макроциклической и супрамолекулярной химии (ISMSC2019)

      Пьеранджело Метранголо, председатель программного комитета, лаборатория супрамолекулярной химии и бионаноматериалов (SupraBioNanom), отдел , материалы и химическая инженерия «Джулио Натта», Миланский политехнический университет, Италия, электронная почта: [email protected], https://ismsc2019.eu/

      9–14 июня 2019 г. • Spectroscopicum Internationale • Мехико, Мексика

      Коллоквиум Spectroscopicum Internationale XLI (CSI XLI)

      Председатель: Читлали Санчес Аке, Институт Прикладных наук и технологий, Национальный автономный университет Мексики, Мексика, электронная почта: citlali. [email protected] или [email protected], http://www.csi2019mexico.com/

      10–13 июня 2019 • Комплексы макромолекул-металлов • Москва, Российская Федерация

      18-й Международный симпозиум по комплексам макромолекул-металлов (MMC-18)

      Председатель/контактное лицо: проф.Эдуард Караханов, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Россия Химический факультет, Россия, 119991, Москва, 1; Электронная почта: [email protected] или [email protected]://mmc-18.org/

      23-27 июня 2019 г. • Полимеры в медицине • Прага, Чешская Республика

      83-я Пражское совещание по макромолекулам — полимерам в медицине

      Офис конференции: Даниэла Ильнерова и Мария Родова, электронная почта: [email protected]

      https://imc.cas.cz/sympo/83pmm/

      1 -5 июля 2019 г. • ИЮПАК, Википедия и Викиданные • Милан, Италия

      Википедия и Викиданные для применения терминов ИЮПАК в Википедии, проект ИЮПАК 2018-038-1-400,

      Контактное лицо: Раос Гвидо, отд. Химии, Миланский политехнический университет, электронная почта: [email protected], https://iupac.org/project/2018-038-1-400

      3-5 июля 2019 г. • ISOTOPCAT2019 • Пуатье, Франция

      Международный симпозиум по изотопным исследованиям в области катализа и электрокатализа

      Сопредседатели: Николя Бион, электронная почта: [email protected] и Даниэль Дюпрез, электронная почта: [email protected] fr, IC2MP, 4 rue Michel Brunet – TSA 51106

      F-86073 Пуатье, Франция, https://isotopcat2019.sciencesconf.org/

      5–12 июля 2019 г. • Конгресс/Генеральная ассамблея ИЮПАК • Париж, Франция

      [email protected], www.iupac2019.org

      the Future

      Конгресс ИЮПАК — Симпозиум 6

      Организаторы: Даниэль Фок, , Université Paris Sud/Paris Saclay, Франция, и Бриджит Ван Тиггелен, , Лувен-ла-Нев, Бельгия, и Институт истории науки, Филадельфия, США, https://www. iupac2019.org/a-centre-of-history

      21–26 июля 2019 • Новые ароматические соединения • Саппоро, Япония

      18-й международный симпозиум по новым ароматическим соединениям (ISNA-18)

      Проф. д-р Шигехиро Ямагучи, председатель программного комитета,

      Электронная почта: [email protected], www.isna18.org

      21–25 июля 2019 г. • Металлоорганический катализ • Гейдельберг, Германия

      20-й Международный симпозиум по металлоорганическому катализу в направлении органического синтеза (OMCOS)

      Контакты: A.Стивен К. Хашми (председатель), Марк Лаутенс , Управление конгрессов и конференций (UniKT)

      https ://www.omcos2019.de/

      26-28 июля 2019 • Менделеев 150 • Санкт-Петербург, Россия

      Менделеев 150: 4-я Международная конференция по Периодической таблице, одобренная IUPAC

      Соорганизаторы: Михаил В. Курушкин (Университет ИТМО, Россия), Эрик Р. Шерри (Калифорнийский университет, Лос-Анджелес, США), Филип Дж.Stewart (Оксфордский университет, Великобритания)

      Эл.

      30 июля – 1 августа 2019 • Межазиатские преподаватели химии • Тайбэй, Тайвань

      8-я Международная конференция Сети межазиатских преподавателей химии (NICE)

      Чин-Чэн Чоу, Департамент научного образования, Национальный Тайбэй Педагогический университет

      Электронная почта: [email protected], http://www.8thnice.org/

      4–8 августа 2019 г. • Химия растворов • Синин, Китай

      36-я Международная конференция по химии растворов

      Доктор Юнцюань Чжоу, Цинхайский институт соленых озер, Китайская академия наук, Синин 810008, Китай, E-mail: [email protected], http://icsc2019.csp.escience.cn/

      4–9 августа 2019 г. • Электрохимия • Дурбан, Южная Африка

      70-е ежегодное собрание Международного общества электрохимиков – Электрохимия: связь ресурсов с устойчивым развитием

      Председатель: Кеннет И. Озоэмена, Университет Витватерсранда, электронная почта: [email protected], https://annual70.ise-online.org/

      25–30 августа 2019 г. • Трансактинидные элементы • Вильгельмсхафен, Германия

      6-я Международная конференция по химии и физике трансактинидных элементов (TAN19)

      Сопредседатели: профессор, доктор Кристоф Дюльманн, Институт ядерной химии, Университет Иоганна Гутенберга, Майнц, Германия, и профессор, доктор Михаэль Блок, GSI Helmholtz Центр исследований тяжелых ионов, Дармштадт, Германия.Электронная почта: [email protected], https://www.gsi.de/tan19/

      25–31 августа 2019 г. • Гликоконъюгаты • Милан, Италия

      25-й Международный симпозиум по гликоконъюгатам

      Сопредседатели: Сандро Соннино и Алессандро Принетти , общий контакт: , http://www.glyco25.org/

      2-6 Сентябрь 2019 г. • Нековалентные взаимодействия Лиссабон, Португалия

      1-я Международная конференция по нековалентным взаимодействиям (ICNI)

      Armando J. Л. Помбейро, Лиссабонский университет, Камран Т. Махмудов, E-mail: [email protected] Общий адрес электронной почты: [email protected], http://icni2019.eventos.chemistry.pt

      8–13 сентября 2019 г. • Ионная полимеризация Пекин, Китай

      13-й Международный симпозиум по ионной полимеризации (IP 2019)

      Yixian Wu, электронная почта: [email protected], Пекинский химико-технологический университет, и Junpo He, электронная почта: [email protected], Фуданьский университет, кафедра макромолекулярных наук, соавтор стулья.web

      9-13 сентября 2019 • Общая и прикладная химия Санкт-Петербург, Российская Федерация

      XXI Менделеевский съезд по общей и прикладной химии

      Сопредседатели: А.М. Сергеев, президент РАН, действительный член РАН и М.М. Котюков, министр науки и высшего образования Российской Федерации. Общее контактное лицо: Юлия Горбунова, член-корреспондент РАН, А.Н. Институт физической химии и электрохимии им. Фрумкина РАН, Ленинский проспект, д. 31, стр. 4, Москва, Российская Федерация, 119087, Тел: +74959545483, E-mail: юлия[email protected], http://mendeleev2019.ru/

      14–16 октября 2019 г. • WMFmeetsIUPAC2019 Белфаст, Северная Ирландия

      Всемирный форум по микотоксинам и Международный симпозиум по микотоксинам IUPAC,

      Rudolf Krs , Австрия, и Крис Эллиотт, Королевский университет Белфаста, Северная Ирландия, сопредседатели конференции, электронная почта [email protected], www.worldmycotoxinforum.org

      15–18 октября 2019 г. • Координация химии • Куала-Лумпур, Малайзия

      7-я Азиатская координационная химическая конференция (ACCC7)

      Председатель: Геок Би Тех, электронная почта: [email protected]ком; Контакт: Секретариат ACCC7, c/o Institut Kimia Malaysia, электронная почта: секретариат@accc7.org.my, https://accc7.org.my/

      5 декабря 2019 г. • Закрытие IYPT2019 • Токио, Япония

      Официальное лицо Церемония закрытия IYPT2019 будет организована подкомитетом IUPAC Совета по науке Японии; http://www. iypt2019.jp/eng/index.html

      Спросите физика: жизнь без солнца?

      Гонсалу из Португалии хочет знать:
      «Может ли планета теоретически поддерживать жизнь без солнца?»
      Гонсало,
      Ваше предложение удивительно правдоподобно! Чтобы понять, как это сделать, нам придется исследовать некоторые из самых темных мест на Земле, где жизнь настолько близка к «инопланетной», насколько это вообще возможно.

      Перефразируя старую цитату: где есть путь, жизнь найдет его. Тем не менее, есть несколько основных вещей, необходимых для возникновения жизни. Первый — это строительные блоки: атомы и молекулы, способные соединяться в сложные структуры, подобные углероду, составляющему основу всей жизни здесь, на Земле. Углерод — не единственное вещество, обладающее такой способностью, и этот факт дает ученым надежду на то, что однажды будет открыта жизнь на основе другого элемента, такого как кремний (который, имея такое же количество валентных электронов, как и углерод, образует связи аналогичным образом). Кажется, что богатая водой среда способствует этому процессу, но мы явно предвзяты, поскольку исходим из планеты, покрытой этим веществом.

      Следующей предпосылкой для жизни является среда, защищающая эти молекулярные устройства: если мир слишком жаркий или не защищен от обжигающих гамма-лучей, пронизывающих нашу галактику, любые связи будут разрушены, прежде чем они смогут стать самовоспроизводящимися структурами. , фундаментальная основа жизни. Помимо этих двух условий, основным требованием является источник энергии, которую эти самовоспроизводящиеся структуры могут собирать для продолжения роста.Здесь, на Земле, эта энергия чаще всего поступает в виде солнечного света, но, как мы скоро обнаружим, это далеко не единственный вариант.

      Земля уникально гостеприимна для жизни по ряду причин, но, возможно, наиболее важным фактором является расплавленная недра. Конвекционные потоки, движимые наружу теплом ядра планеты, постоянно перемешивают электропроводящую магму мантии, создавая петли магнитного поля везде, где возникает круговой ток. Благодаря вращению Земли эти круговые токи производятся последовательно, создавая защитное магнитное поле, которое окружает всю планету.Без этого силового поля, называемого магнитосферой, земные океаны и атмосфера, вероятно, давным-давно были бы уничтожены солнечным ветром. Ядро Марса охлаждалось гораздо быстрее, чем земное, поэтому, если там когда-то и была жизнь, она, вероятно, давно вымерла.

      В горячем ядре нашей планеты есть еще один вид удобств: центральное отопление. Если вы копнете глубже, чем на несколько метров, вы достигнете области земной коры с примерно постоянной температурой — холодные 62° F с сезонными колебаниями около 5°; солнечный свет, падающий на поверхность планеты, имеет мало общего с внутренней температурой Земли.Около половины этого тепла является «остаточным», оставшимся от образования Солнечной системы, когда механическое напряжение столкновений между протопланетными телами нагрело их до точки плавления. Другая половина? Ядерное деление.

      Вы правильно прочитали: вы сидите на вершине гигантского ядерного реактора, и относительно высокая концентрация радиоактивных элементов в мантии Земли является огромной частью того, что позволяет ей оставаться жидкой — и поддерживать магнитосферу — дольше, чем планеты как Марс и Венера.

      Эта информация сулит хорошие перспективы жизни в темных уголках вселенной. Здесь, на Земле, есть экосистемы, подобные тем, что находятся вблизи геотермальных жерл, которые кажутся совершенно независимыми от влияния солнца. В самых темных глубинах океана микробные формы жизни собираются вокруг подводных гейзеров, питаясь метаном и аммиаком, поднимаемыми вверх потоками горячей воды и пара, вскипяченными магмой, бурлящей в трещинах между тектоническими плитами. Эти микробы — возможно, потомки обитателей поверхности, но с такой же вероятностью наши предки — составляют основу пищевой сети, в которую входят все, от трубчатых червей до осьминогов.Если бы солнце исчезло завтра, практически вся жизнь, какой мы ее знаем, последовала бы вскоре после этого… но есть вероятность, что эти ребята даже не заметили бы этого.


      Гигантские трубчатые черви обитают вблизи гидротермальных жерл и питаются симбиотическими микробами, извлекающими энергию из химических веществ, выбрасываемых через жерла.
      Забавный факт: красный цвет обусловлен гемоглобином, тем же белком, из которого состоят ваши эритроциты!
      Все это отчасти объясняет, почему у ученых кружится голова от волнения по поводу перспективы отправки зонда на Европу, покрытую льдом луну на орбите вокруг Юпитера.Находясь в пять раз дальше от Солнца, чем Земля, солнечный свет на Европе всего в двадцать пятых интенсивнее, что делает это место очень холодным — по крайней мере, на поверхности. Но гладкая ледяная оболочка Европы раскрывает невероятную тайну: под ней находится океан жидкой воды. Другие планетарные тела Солнечной системы, такие как наша Луна, испещрены огромными кратерами, образовавшимися в результате столкновений с астероидами. На Европе таких кратеров не видели. Это говорит о том, что удары по льду стираются водой из подземного резервуара, что-то вроде камня, брошенного на поверхность замерзшего пруда, который затем снова замерзает за ночь.

      Поверхность Европы, показанная на этом изображении с усиленным цветом, пересекается линиями, которые предполагают
      аналог тектонической активности среди ледяных щитов на ее поверхности, что еще раз подтверждает гипотезу
      о жидком водном океане подо льдом.
      Что-то удерживает внутреннюю часть Европы в жидком состоянии, и астрономы предполагают, что у Луны есть твердое ядро, которое подвергается огромному стрессу от приливных сил Юпитера.Это напряжение деформирует ядро, нагревая его за счет своего рода внутреннего трения, подобно скрепке, многократно изгибаемой вперед и назад — по крайней мере, это преобладающая гипотеза; также возможно, что радиоактивный распад, по крайней мере, частично отвечает за сохранение тепла ядра Европы. В любом случае ясно, что на Европе есть источник энергии и среда, благоприятствующая жизни: эта ледяная оболочка обеспечивает превосходную защиту от излучения частиц, направляемых магнитным полем Юпитера. Теперь единственный вопрос заключается в том, существуют ли необходимые химические вещества во внутреннем океане Европы и правильно ли они слиплись, чтобы воспроизводиться, расти и адаптироваться.

      Если да, то внутренняя часть Европы может быть целым темным океанским миром инопланетной жизни — безглазыми существами, которые никогда не нуждались в солнечном свете. Мало того, что жизнь без солнца возможна, она может существовать прямо у нас на заднем дворе.


      Концепт-арт того, как могли выглядеть сложные формы жизни на Европе.
      Изображение предоставлено: Адольф Шаллер
      Стивен Сколник

      Поиск товарных знаков

      Авторизоваться Зарегистрироваться
      • Найти юриста
      • Спросите юриста
      • Исследуйте Закон
      • Юридические школы
      • Законы и правила
      • Информационные бюллетени
      • Маркетинговые решения
        • Юстиа Коннект
        • Базовое членство
        • Pro-членство
        • Справочник юристов Justia
        • Платиновые размещения
        • Золотое размещение
        • Юстиа Элевейт
        • SEO
        • веб-сайтов
        • Блоги
        • Юстиа Усиление
        • Управление КПП
        • Google Мой Бизнес
        • Социальные сети
        • Блог Justia Onward
      Торговые марки Justia Поиск Торговые марки Justia Поиск товарных знаковПоиск владельцев товарных знаков

      Текст поиска:

      Поиск

      Спросите юриста

      Вопрос:

      Добавить детали

      120

      Дополнительные детали:

      1000

      Задать вопрос

      Найти юриста

      Юристы — зарегистрируйтесь прямо сейчас!
      Получите бесплатный листинг профиля каталога

      Правовые ресурсы Юстии

      Найти юриста
      • Юристы по банкротству
      • Юристы по бизнесу
      • Адвокаты по уголовным делам
      • Адвокаты по трудоустройству
      • Юристы по планированию недвижимости
      • Адвокаты по семейным делам
      • Адвокаты по травмам
      • Еще. ..
      Физические лица
      • Банкротство
      • Преступник
      • Развод
      • DUI
      • Планирование недвижимости
      • Семейное право
      • Телесные повреждения
      • Еще…
      Бизнес
      • Организация бизнеса
      • Деловые операции
      • Занятость
      • Интеллектуальная собственность
      • Международная торговля
      • Недвижимость
      • Налоговый кодекс
      • Еще. ..
      Студенты-юристы
      • Юридические факультеты
      • Прием
      • Финансовая помощь
      • Краткое содержание курса
      • Юридические журналы
      • Блоги
      • Занятость
      • Еще…
      Федеральный закон США
      • Конституция США
      • Код США
      • Правила
      • Верховный суд
      • Окружные суды
      • Окружные суды
      • Журналы и документы
      • Еще. ..
      Закон штата США
      • Конституции штатов
      • Коды штатов
      • Прецедентное право штата
      • Калифорния
      • Флорида
      • Нью-Йорк
      • Техас
      • Еще…
      Другие базы данных
      • Ресурсы COVID-19
      • Юридические блоги
      • Бизнес-формы
      • Отзыв продукции
      • Патенты
      • Товарные знаки
      • стран
      • Еще. ..
      Маркетинговые решения
      • Членство в Justia Connect
      • Справочник юристов Юстии
      • Премиум-размещения Justia
      • Justia Elevate (SEO, веб-сайты)
      • Justia Amplify (PPC, GMB)
      • Блог Justia Onward
      • Отзывы
      • Еще…
      © 2022 Юстия Юстиа Коннект Юридический портал Компания Помощь Условия использования Политика конфиденциальности Маркетинговые решения .

Author: alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.